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一种LED芯片粗化方法及LED芯片
摘要文本
本发明提供一种LED芯片粗化方法及LED芯片，该方法通过基于n‑AlGaInP粗化层上层叠的图形化电极，将n‑AlGaInP粗化层表面分区，以形成关于图形化电极对称的多个待粗化区域，其中，远离图形化电极的待粗化区域为初始待粗化区域，靠近图形化电极的待粗化区域为终止待粗化区域，初始待粗化区域和终止待粗化区域之间为中间待粗化区域；由初始待粗化区域朝终止待粗化区域，依次对各待粗化区域进行粗化处理，形成由图形化电极向外，粗化高度逐渐降低的n‑AlGaInP粗化层，具体的，从远离图形化电极的待粗化区域开始依次对划分的多个粗化区域进行粗化，大大增加了粗化面积，提升了出光效率。 专利查询网
申请人信息
- 申请人:江西乾照半导体科技有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市新建区宁远大街1288号
- 发明人: 江西乾照半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种LED芯片粗化方法及LED芯片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311765062.7 |
| 申请日 | 2023/12/21 |
| 公告号 | CN117438515A |
| 公开日 | 2024/1/23 |
| IPC主分类号 | H01L33/22 |
| 权利人 | 江西乾照半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 曹金如; 李晓静; 乔元鹏; 辛天骄; 马英杰; 徐晶; 朱万祥; 韩效亚 |
| 地址 | 江西省南昌市新建区宁远大街1288号 |
专利主权项内容
1.一种LED芯片粗化方法，其特征在于，用于对LED芯片的n-AlGaInP粗化层进行粗化，所述方法包括：基于n-AlGaInP粗化层上层叠的图形化电极，将n-AlGaInP粗化层表面分区，以形成关于图形化电极对称的多个待粗化区域，其中，远离图形化电极的待粗化区域为初始待粗化区域，靠近图形化电极的待粗化区域为终止待粗化区域，初始待粗化区域和终止待粗化区域之间为中间待粗化区域；由初始待粗化区域朝终止待粗化区域，依次对各待粗化区域进行粗化处理，形成由图形化电极向外，粗化高度逐渐降低的n-AlGaInP粗化层。