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一种Mini-LED芯片及其制作方法
摘要文本
本发明涉及Mini‑LED技术领域,具体涉及一种Mini‑LED芯片及其制作方法,该Mini‑LED芯片从下至上依次包括:蓝宝石衬底、键合层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、隔离层、P电极、N电极、散热层;散热层为由尖晶石、碳纳米管和氟碳树脂组成的混合乳液喷涂而成的涂层;散热层覆盖住除P电极和N电极的芯片表面。本发明通过在芯片上结构中加入散热层,提高芯片的散热能力,同时通过控制芯片发光层、P型半导体层台面的设置角度以及散热层的厚度,有效提高了芯片光电性能的稳定性和芯片的可靠性,进而延长芯片的使用寿命。
申请人信息
- 申请人:南昌凯捷半导体科技有限公司
- 申请人地址:330000 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号8#厂房204室
- 发明人: 南昌凯捷半导体科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种Mini-LED芯片及其制作方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311852150.0 |
| 申请日 | 2023/12/29 |
| 公告号 | CN117497681A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H01L33/64 |
| 权利人 | 南昌凯捷半导体科技有限公司 |
| 发明人 | 王克来; 李俊承; 陈宝; 戴文; 郑万乐 |
| 地址 | 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号8#厂房204室 |
专利主权项内容
1.一种Mini-LED芯片,其特征在于,所述Mini-LED芯片从下至上依次包括:蓝宝石衬底、键合层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、隔离层、P电极、N电极、散热层;所述散热层为由尖晶石、碳纳米管和氟碳树脂组成的混合乳液喷涂而成的涂层;所述散热层覆盖住除P电极和N电极的芯片表面。