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一种Mini-LED芯片及其制作方法

申请号: CN202311852150.0
申请人: 南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日期: 2023/12/29

摘要文本

本发明涉及Mini‑LED技术领域,具体涉及一种Mini‑LED芯片及其制作方法,该Mini‑LED芯片从下至上依次包括:蓝宝石衬底、键合层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、隔离层、P电极、N电极、散热层;散热层为由尖晶石、碳纳米管和氟碳树脂组成的混合乳液喷涂而成的涂层;散热层覆盖住除P电极和N电极的芯片表面。本发明通过在芯片上结构中加入散热层,提高芯片的散热能力,同时通过控制芯片发光层、P型半导体层台面的设置角度以及散热层的厚度,有效提高了芯片光电性能的稳定性和芯片的可靠性,进而延长芯片的使用寿命。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种Mini-LED芯片及其制作方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311852150.0
申请日 2023/12/29
公告号 CN117497681A
公开日 2024/2/2
IPC主分类号 H01L33/64
权利人 南昌凯捷半导体科技有限公司
发明人 王克来; 李俊承; 陈宝; 戴文; 郑万乐
地址 江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号8#厂房204室

专利主权项内容

1.一种Mini-LED芯片,其特征在于,所述Mini-LED芯片从下至上依次包括:蓝宝石衬底、键合层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、隔离层、P电极、N电极、散热层;所述散热层为由尖晶石、碳纳米管和氟碳树脂组成的混合乳液喷涂而成的涂层;所述散热层覆盖住除P电极和N电极的芯片表面。