← 返回列表
多晶发光装置及其制备方法
摘要文本
本发明提供了一种多晶发光装置及其制备方法，制备方法包括：将LED芯片四周围设有反射胶层的第一发光结构置于第一支撑膜表面；反射胶层的上表面与LED芯片的发光上面齐平，第一发光结构中规则排列有至少一个多晶发光装置对应的多颗LED芯片；将一整块光转换层贴于第一发光结构表面，光转换层靠近LED芯片的发光上面配置；至少于相邻LED芯片之间的光转换层中形成第一凹槽；于形成的第一凹槽中填充光反射材料，光反射材料的上表面与光转换层的上表面齐平；沿相邻多晶发光结构之间的切割道进行切割，得到多晶发光装置，多晶发光装置中包括规则排列的多颗LED芯片。有效解决现有多晶发光装置出光不均匀的问题。 （） （来 自 专利查询网）
申请人信息
- 申请人:江西晶亮光电科技协同创新有限公司
- 申请人地址:330096 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号
- 发明人: 江西晶亮光电科技协同创新有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 多晶发光装置及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311823425.8 |
| 申请日 | 2023/12/28 |
| 公告号 | CN117497525A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H01L25/075 |
| 权利人 | 江西晶亮光电科技协同创新有限公司 |
| 发明人 | 徐海; 赵汉民; 尹江涛; 李珍珍 |
| 地址 | 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号 |
专利主权项内容
1.一种多晶发光装置制备方法，其特征在于，包括：将LED芯片四周围设有反射胶层的第一发光结构置于第一支撑膜表面；所述LED芯片具有发光上面、发光侧面及与所述发光上面相对的电极表面，且于所述第一支撑膜表面各LED芯片的发光上面朝上；所述反射胶层的上表面与所述LED芯片的发光上面齐平，第一发光结构中规则排列有至少一个多晶发光装置对应的多颗LED芯片；将一整块光转换层贴于所述第一发光结构表面，所述光转换层靠近LED芯片的发光上面配置；至少于相邻LED芯片之间的光转换层中形成第一凹槽；于形成的第一凹槽中填充光反射材料，所述光反射材料的上表面与所述光转换层的上表面齐平；沿相邻多晶发光结构之间的切割道进行切割，得到多晶发光装置，所述多晶发光装置中包括规则排列的多颗LED芯片；且所述切割道位于相邻多晶发光结构之间的第一凹槽内。