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一种改善沉镍金电位差镍腐蚀的方法

申请号: CN202311688295.1
申请人: 江西景旺精密电路有限公司
申请日期: 2023/12/8

摘要文本

本发明涉及化学镍金技术领域,具体是涉及一种改善沉镍金电位差镍腐蚀的方法,该方法在沉镍金电路板设计时添加阻流PAD,所述阻流PAD添加在距离独立区边缘100±5mil的位置。本发明通过在沉镍金电路板时,设计添加阻流PAD设计,分散电流,可有效避免局部电流过大,从而显著减少电路板在沉镍金制程中产生电位差导致镍腐蚀不良的现象,有效解决现有技术的不足,适用于对电路板的批量生产。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种改善沉镍金电位差镍腐蚀的方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311688295.1
申请日 2023/12/8
公告号 CN117646200A
公开日 2024/3/5
IPC主分类号 C23C18/34
权利人 江西景旺精密电路有限公司
发明人 韩传林; 宋桥志; 段绍华; 周锋
地址 江西省吉安市吉水县城西工业区

专利主权项内容

1.一种改善沉镍金电位差镍腐蚀的方法,其特征在于,在沉镍金电路板设计时添加阻流PAD设计,所述阻流PAD添加在距离独立区边缘100±5mil的位置。 关注微信公众号马克数据网