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单颗粒人造石墨及其制备方法、负极材料及负极片

申请号: CN202311648364.6
申请人: 江西欣荣锂电材料有限公司
申请日期: 2023/12/4

摘要文本

本申请涉及一种单颗粒人造石墨及其制备方法、负极材料及负极片。该单颗粒人造石墨的制备方法,包括:在2500℃~3000℃下,对焦炭石墨化处理,制备石墨材料;将石墨材料粉碎,制备微米级粒径的石墨粉末;对石墨粉末进行化学修饰处理,制备中间体;对中间体的表面刻蚀处理,制备单颗粒人造石墨;其中,刻蚀处理采用氧化剂进行刻蚀,或者通过电化学反应进行刻蚀。通过石墨化处理焦炭制备石墨材料,然后粉碎、化学修饰、表面刻蚀处理,制得单颗粒人造石墨;制得的单颗粒人造石墨具有较高的振实密度,且表面与电解液接触较佳,导电性能较好,用作负极材料具有较高的容量及较好的倍率性能。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 单颗粒人造石墨及其制备方法、负极材料及负极片
专利类型 发明申请
申请号 CN202311648364.6
申请日 2023/12/4
公告号 CN117658126A
公开日 2024/3/8
IPC主分类号 C01B32/21
权利人 江西欣荣锂电材料有限公司
发明人 周宪聪; 吴玉祥; 温靖彦; 阙志豪
地址 江西省宜春市上高县五里岭工业园区伟业路

专利主权项内容

1.一种单颗粒人造石墨的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:在2500℃~3000℃下,对焦炭石墨化处理,制备石墨材料;将所述石墨材料粉碎,制备微米级粒径的石墨粉末;对所述石墨粉末进行化学修饰处理,制备中间体;对所述中间体的表面刻蚀处理,制备所述单颗粒人造石墨;其中,所述刻蚀处理采用氧化剂进行刻蚀,或者通过电化学反应进行刻蚀。