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单颗粒人造石墨及其制备方法、负极材料及负极片
摘要文本
本申请涉及一种单颗粒人造石墨及其制备方法、负极材料及负极片。该单颗粒人造石墨的制备方法,包括:在2500℃~3000℃下,对焦炭石墨化处理,制备石墨材料;将石墨材料粉碎,制备微米级粒径的石墨粉末;对石墨粉末进行化学修饰处理,制备中间体;对中间体的表面刻蚀处理,制备单颗粒人造石墨;其中,刻蚀处理采用氧化剂进行刻蚀,或者通过电化学反应进行刻蚀。通过石墨化处理焦炭制备石墨材料,然后粉碎、化学修饰、表面刻蚀处理,制得单颗粒人造石墨;制得的单颗粒人造石墨具有较高的振实密度,且表面与电解液接触较佳,导电性能较好,用作负极材料具有较高的容量及较好的倍率性能。
申请人信息
- 申请人:江西欣荣锂电材料有限公司
- 申请人地址:336400 江西省宜春市上高县五里岭工业园区伟业路
- 发明人: 江西欣荣锂电材料有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 单颗粒人造石墨及其制备方法、负极材料及负极片 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311648364.6 |
| 申请日 | 2023/12/4 |
| 公告号 | CN117658126A |
| 公开日 | 2024/3/8 |
| IPC主分类号 | C01B32/21 |
| 权利人 | 江西欣荣锂电材料有限公司 |
| 发明人 | 周宪聪; 吴玉祥; 温靖彦; 阙志豪 |
| 地址 | 江西省宜春市上高县五里岭工业园区伟业路 |
专利主权项内容
1.一种单颗粒人造石墨的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:在2500℃~3000℃下,对焦炭石墨化处理,制备石墨材料;将所述石墨材料粉碎,制备微米级粒径的石墨粉末;对所述石墨粉末进行化学修饰处理,制备中间体;对所述中间体的表面刻蚀处理,制备所述单颗粒人造石墨;其中,所述刻蚀处理采用氧化剂进行刻蚀,或者通过电化学反应进行刻蚀。