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芯片制造用恒温匀胶系统

申请号: CN202311754549.5
申请人: 全南虔芯半导体有限公司
申请日期: 2023/12/20

摘要文本

本发明涉及涂胶控制技术领域,具体涉及一种芯片制造用恒温匀胶系统。该系统监测芯片不同位置的压力曲线,进而提取压力曲线上的整体周期性、每个数据点的局部周期性、压力极大值以及压力极大值的压力值突出性。通过考虑压力曲线上的峰值特征和周期特征,结合压力极大值点对应的局部周期性和压力值突出性,获得每个压力极大值点的第一密度估计值,进而获得压力曲线的第二密度估计值。利用不同位置之间第二密度估计值的差异控制涂胶速度。本发明通过利用压力数据准确获得芯片的涂胶状态,通过调整涂胶速度实现恒温均匀涂胶,提高恒温涂胶过程的泛化能力。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 芯片制造用恒温匀胶系统
专利类型 发明授权
申请号 CN202311754549.5
申请日 2023/12/20
公告号 CN117443681B
公开日 2024/3/12
IPC主分类号 B05C11/10
权利人 全南虔芯半导体有限公司
发明人 沈炜东; 翁炳钦; 钟彩苗
地址 江西省赣州市全南县全南县工业二园

专利主权项内容

1.一种芯片制造用恒温匀胶系统,其特征在于,所述系统包括:涂胶压力监测模块,用于获取恒温涂胶过程中芯片每个位置处的压力曲线;压力曲线分析模块,用于获取所述压力曲线的频率信息,根据频率信息获得所述压力曲线的整体周期性;获得所述频率信息对应周期下所述压力曲线的周期曲线段,根据每个周期曲线段与相邻周期曲线段之间的相似度获得每个周期曲线段上每个数据点的局部周期性;获取所述压力曲线上的压力极大值点及其压力值突出性;密度估计模块,用于根据所述压力极大值点对应的所述局部周期性和所述压力值突出性获得每个所述压力极大值点对应的第一密度估计值;根据所述第一密度估计值的波动性和所述整体周期性获得所述压力曲线对应位置的第二密度估计值;涂胶控制模块,用于根据不同位置之间所述第二密度估计值的差异控制涂胶速度。