芯片的稳定性测试方法及相关装置

专利主权项内容

1.一种芯片的稳定性测试方法，其特征在于，所述芯片的稳定性测试方法包括：基于预置的温度循环测试数据对目标芯片进行温度循环测试，得到原始芯片测试数据，并对所述原始芯片测试数据进行数据集分类，得到正温度梯度测试数据以及逆温度梯度测试数据；对所述正温度梯度测试数据进行参数解析，得到第一芯片电压参数以及第一芯片电流参数，并对所述逆温度梯度测试数据进行参数解析，得到第二芯片电压参数以及第二芯片电流参数；具体包括：将所述正温度梯度测试数据输入预置的第一参数分类模型，通过所述第一参数分类模型分别确定第一芯片电压参数中心以及第一芯片电流参数中心；基于所述第一芯片电压参数中心，对所述正温度梯度测试数据中的多个第一测试数据点进行数据点距离计算，得到多个第一电压数据点距，并根据所述多个第一电压数据点距对所述多个第一测试数据点进行筛选，得到第一芯片电压参数；基于所述第一芯片电流参数中心，对所述正温度梯度测试数据中的多个第一测试数据点进行数据点距离计算，得到多个第一电流数据点距，并根据所述多个第一电流数据点距对所述多个第一测试数据点进行筛选，得到第一芯片电流参数；将所述逆温度梯度测试数据输入预置的第二参数分类模型，通过所述第二参数分类模型分别确定第二芯片电压参数中心以及第二芯片电流参数中心；基于所述第二芯片电压参数中心，对所述逆温度梯度测试数据中的多个第二测试数据点进行数据点距离计算，得到多个第二电压数据点距，并根据所述多个第二电压数据点距对所述多个第二测试数据点进行筛选，得到第二芯片电压参数；基于所述第二芯片电流参数中心，对所述逆温度梯度测试数据中的多个第二测试数据点进行数据点距离计算，得到多个第二电流数据点距，并根据所述多个第二电流数据点距对所述多个第二测试数据点进行筛选，得到第二芯片电流参数；对所述第一芯片电压参数以及所述第一芯片电流参数进行参数特征提取，得到第一参数特征集合，并对所述第二芯片电压参数以及所述第二芯片电流参数进行参数特征提取，得到第二参数特征集合；对所述温度循环测试数据、所述第一参数特征集合以及所述第二参数特征集合进行向量编码和向量融合，得到目标稳定性评价向量；将所述目标稳定性评价向量输入预置的芯片稳定性分析模型进行芯片稳定性分析，得到目标稳定性分析结果；具体包括：将所述目标稳定性评价向量输入预置的芯片稳定性分析模型，其中，所述芯片稳定性分析模型包括一个强分类器，所述强分类器由多个弱分类器组成，每个弱分类器包括卷积长短时记忆网络以及两层全连接网络；分别通过所述弱分类器中的卷积长短时记忆网络，对所述目标稳定性评价向量进行隐藏特征提取，得到目标隐藏特征向量；分别通过所述弱分类器中的两层全连接网络，对所述目标隐藏特征向量进行稳定性分析，得到每个弱分类器的初始稳定性分析结果；获取所述强分类器中每个弱分类器对应的分类器权重数据，并基于所述分类器权重数据对每个弱分类器的初始稳定性分析结果进行加权融合，得到所述强分类器对应的目标稳定性分析结果。