一种新型混合集成激光器
摘要文本
本发明公开了一种新型混合集成激光器, 包括 : 硅光芯片, 包括两个或者两个以上的环形谐振器和一个sagnac环, 环形谐振器组成了光学滤波器, 光学滤波器的一端与所述sagnac环相连接；半导体光放大器, 位于所述硅光芯片没有设置所述sagnac环的一侧, 半导体光放大器的一侧镀有高反射膜, 硅光芯片和半导体光放大器未镀膜一侧直接耦合；增益芯片位于半导体光放大器高反射膜一侧, 增益芯片和所述半导体光放大器直接耦合；半导体光隔离器, 内部集成一个或多个环形谐振器, 位于增益芯片远离硅光芯片的一侧, 增益芯片与半导体光隔离器直接耦合；输出光纤, 位于半导体光隔离器远离硅光芯片的一侧, 所述输出光纤与半导体光隔离器直接耦合。 关注公众号专利查询网
申请人信息
- 申请人:芯联新(河北雄安)科技有限公司
- 申请人地址:071800 河北省保定市雄安新区雄县精武路26号(科创中心中试基地)3号102室
- 发明人: 芯联新(河北雄安)科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种新型混合集成激光器 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311489257.3 |
| 申请日 | 2023/11/9 |
| 公告号 | CN117498159A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H01S5/50 |
| 权利人 | 芯联新(河北雄安)科技有限公司 |
| 发明人 | 李晓彤; 梁帆; 娄献苗; 章旺; 侯崇广 |
| 地址 | 河北省保定市雄安新区雄县精武路26号(科创中心中试基地)3号102室 |
专利主权项内容
1.一种新型混合集成激光器，其特征在于，包括：硅光芯片(1)、半导体光放大器(2)、增益芯片(3)、半导体光隔离器(4)和输出光纤(5)；所述硅光芯片(1)包括两个或者两个以上的环形谐振器和一个sagnac环, 所述环形谐振器组成了光学滤波器, 所述光学滤波器的一端与所述sagnac环相连接；所述半导体光放大器(2)位于所述硅光芯片(1)没有设置所述sagnac环的一侧，所述半导体光放大器(2)的一侧镀有高反射膜，所述硅光芯片(1)和所述半导体光放大器(2)未镀膜一侧直接耦合；所述增益芯片(3)位于所述半导体光放大器(2)镀有高反射膜一侧，所述增益芯片(3)和所述半导体光放大器(2)直接耦合；所述半导体光隔离器(4)位于所述增益芯片(3)远离硅光芯片(1)的一侧，所述半导体光隔离器(4)内部集成一个或多个环形谐振器，所述增益芯片(3)与所述半导体光隔离器(4)直接耦合；所述输出光纤(5)位于半导体光隔离器(4)远离硅光芯片(1)的一侧, 所述输出光纤(5)与半导体光隔离器(4)直接耦合。 搜索马 克 数 据 网