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一种用于碳化硅衬底漏液检测前的预清洗方法
摘要文本
本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开一种用于碳化硅衬底漏液检测前的预清洗方法。本发明将预清洗方法提前至碳化硅衬底工序后，首先采用纯水超声清洗去除碳化硅衬底表面附着的大颗粒研磨液，然后于氢氟酸/硫酸混合酸溶液中进行多频段超声清洗，有效去除微小管道中堆积的杂质，最后于碳酸氢钠水溶液中浸泡去除碳化硅衬底表面的油污，从而实现了碳化硅衬底表面，尤其是2微米以下管道缺陷中的杂质的有效去除，进而有效提高了碳化硅衬底漏点的充分检出，降低了漏液衬底加工成本的浪费，提高了碳化硅衬底的生产效率，对于提高外延器件的合格率具有重要意义，具有较高的推广应用价值。
申请人信息
- 申请人:河北同光半导体股份有限公司
- 申请人地址:071051 河北省保定市北三环6001号
- 发明人: 河北同光半导体股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种用于碳化硅衬底漏液检测前的预清洗方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311690181.0 |
| 申请日 | 2023/12/11 |
| 公告号 | CN117711913A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | H01L21/02 |
| 权利人 | 河北同光半导体股份有限公司 |
| 发明人 | 高彦静; 郑向光; 汤欢; 崔景光; 吕敬文 |
| 地址 | 河北省保定市北三环6001号 |
专利主权项内容
1.一种用于碳化硅衬底漏液检测前的预清洗方法，其特征在于，于碳化硅衬底切割研磨工序后进行预清洗，所述预清洗方法包括以下步骤：S1，将碳化硅研磨片于纯水中超声清洗，擦拭表面，得碳化硅衬底Ι；S2，将所述碳化硅衬底Ι于氢氟酸和硫酸的混合酸溶液中进行多频段超声清洗，鼓泡水洗，得碳化硅衬底Ⅱ；S3，将所述碳化硅衬底Ⅱ放入碳酸氢钠水溶液中，浸泡，鼓泡水洗，干燥，得洁净碳化硅衬底。