← 返回列表
一种晶体生长过程中结晶检测方法及装置
摘要文本
本申请公开了一种晶体生长过程中结晶检测方法及装置，该方法包括：当制备单晶硅工艺进入等径工序时，检测获得坩埚内图像；提取坩埚内图像中目标图像区域，目标图像区域包含实时监测的熔液部分；对目标图像区域进行划分，得到若干个图像块；基于每一图像块的像素值与像素阈值的比较结果，确定满足比较条件的图像块的数量；若满足比较条件的图像块的数量不小于数量阈值，生成结晶预警信息。本申请能够实时检测熔料液面，基于图像信息进行处理，在液面结晶时检测出结晶异常，生成结晶预警信息，提升了结晶检测准确性以及及时性。
申请人信息
- 申请人:保定景欣电气有限公司
- 申请人地址:071000 河北省保定市乐凯北大街3088号电谷科技中心3号楼607
- 发明人: 保定景欣电气有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种晶体生长过程中结晶检测方法及装置 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311374074.7 |
| 申请日 | 2023/10/23 |
| 公告号 | CN117385459A |
| 公开日 | 2024/1/12 |
| IPC主分类号 | C30B29/06 |
| 权利人 | 保定景欣电气有限公司 |
| 发明人 | 杨振雷; 赵杰; 赵博 |
| 地址 | 河北省保定市乐凯北大街3088号电谷科技中心3号楼607 |
专利主权项内容
1.一种晶体生长过程中结晶检测方法，其特征在于，包括：当制备单晶硅工艺进入等径工序时，检测获得坩埚内图像，所述坩埚内图像包括处于等径状态下的晶棒、熔料液面和导流筒边缘的图像特征；提取所述坩埚内图像中目标图像区域，所述目标图像区域包含实时监测的熔液部分；对所述目标图像区域进行划分，得到若干个图像块；基于每一图像块的像素值与像素阈值的比较结果，确定满足比较条件的图像块的数量；基于满足比较条件的图像块的数量，生成结晶预警信息。