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一种高品质碳化硅粉料及其制备方法和应用

申请号: CN202311833434.5
申请人: 河北同光半导体股份有限公司
申请日期: 2023/12/28

摘要文本

本发明涉及无机非金属材料领域,具体公开了一种高品质碳化硅粉料及其制备方法和应用。本发明以碳粉、硅粉为主要原料,以特定粒径的碳化硅粉作为添加剂,高温烧结制备了一种松装密度高、结晶质量好、收率高的高品质碳化硅粉料。利用该碳化硅粉料制备的碳化硅单晶体碳包裹体缺陷的生长密度低,品质较高。本发明提供的高品质碳化硅粉料的方法简单,原料易得,有效解决了现有技术中碳化硅单晶生长所需的碳化硅粉料的尺寸有限,粒度不均匀从而导致碳化硅单晶易出现碳包裹体缺陷的问题。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种高品质碳化硅粉料及其制备方法和应用
专利类型 发明申请
申请号 CN202311833434.5
申请日 2023/12/28
公告号 CN117658144A
公开日 2024/3/8
IPC主分类号 C01B32/984
权利人 河北同光半导体股份有限公司
发明人 路亚娟; 郑向光; 杨昆; 刘新辉; 牛晓龙; 刘芳
地址 河北省保定市北三环6001号

专利主权项内容

1.一种高品质碳化硅粉料的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:将碳粉、硅粉和添加剂混合均匀,在惰性氛围下,升温至2050℃-2400℃下进行烧结,降温,粉碎,得所述高品质碳化硅粉料;其中,所述添加剂为粒径100μm-400μm的碳化硅粉。。 ()