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监测晶体生长的控制系统及方法
摘要文本
本发明公开了一种监测晶体生长的控制系统和方法，涉及晶体生长技术领域。本发明利用光学显微镜、超分辨率技术、数值模拟技术等手段，对晶体的形貌和边界信息进行高效的获取、处理和分析，从而实现对晶体的生长速率和生长方向的精确计算，以及对晶体生长的目标和标准的有效评估，分析晶体生长过程中的形貌变化和生长机制，同时根据晶体生长的状态和异常，对晶体生长过程中的相关参数进行实时调节，以提高晶体生长的质量和效率。 （来源 专利查询网）
申请人信息
- 申请人:中能兴盛(香河)机电设备有限公司
- 申请人地址:065402 河北省廊坊市香河县经济开发区运河大道东侧二号路北侧
- 发明人: 中能兴盛(香河)机电设备有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 监测晶体生长的控制系统及方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311679377.X |
| 申请日 | 2023/12/8 |
| 公告号 | CN117646272A |
| 公开日 | 2024/3/5 |
| IPC主分类号 | C30B25/00 |
| 权利人 | 中能兴盛(香河)机电设备有限公司 |
| 发明人 | 李再兴; 李端科; 张利; 李浩毅; 王剑刚 |
| 地址 | 河北省廊坊市香河县经济开发区运河大道东侧二号路北侧 |
专利主权项内容
1.一种监测晶体生长的控制系统，其特征在于，包括：信息获取模块，用于利用光学显微镜对晶体生长设备中的晶体进行原位成像，获取晶体的形貌和边界信息；图像处理模块，用于接收信息获取模块获取的晶体的形貌和边界信息，并根据超分辨率技术，实时追踪晶体边界的延伸和收缩信息；数据分析模块，用于根据所述图像处理模块输出的信息，计算晶体的生长速率和生长方向，并与预设的晶体生长目标和标准进行比较，分析晶体生长过程中的形貌变化和生长机制；控制模块，用于根据所述数据分析模块输出的分析结果，以及预设的晶体生长目标和标准，对晶体生长设备发出控制信号，对晶体生长过程中的相关参数进行实时调节，所述相关参数包括温度、压力以及反应气体流量；晶体生长设备，用于根据控制模块发出的控制信号，控制晶体生长过程中的温度、压力以及反应气体流量。 马 克 数 据 网