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一种垂直结构功率MOSFET大信号等效电路模型
摘要文本
本发明涉及半导体集成电路技术领域，特别是涉及一种垂直结构功率MOSFET大信号等效电路模型，包括：栅源等效电路单元、栅漏等效电路单元、漏源等效电路单元、沟道区热电阻单元、寄生源区等效电阻Rs、寄生漏极等效电阻Rd、寄生栅极等效电阻Rg，其中，栅漏等效电路单元与沟道区热电阻单元串联，与栅源等效电路单元并联，形成第一支路；漏源等效电路单元并联到第一支路上，形成第二支路；寄生源区等效电阻Rs、寄生漏极等效电阻Rd分别串联到第二支路的两端，寄生栅极等效电阻Rg连接到沟道区热电阻单元上。本发明能精确反映功率MOSFET器件的物理本质，准确的模拟器件物理特性，具有参数少、提取参数简单的优点。
申请人信息
- 申请人:燕山大学
- 申请人地址:066000 河北省秦皇岛市河北大街西段438号
- 发明人: 燕山大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种垂直结构功率MOSFET大信号等效电路模型 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311714983.0 |
| 申请日 | 2023/12/13 |
| 公告号 | CN117709266A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | G06F30/36 |
| 权利人 | 燕山大学 |
| 发明人 | 周春宇; 杨荣; 尚建蕊; 陈帅; 徐超; 孙继浩; 贾仁需 |
| 地址 | 河北省秦皇岛市河北大街西段438号 |
专利主权项内容
微信公众号马克数据网 1.一种垂直结构功率MOSFET大信号等效电路模型，其特征在于，包括：栅源等效电路单元(100)、栅漏等效电路单元(200)、漏源等效电路单元(300)、沟道区热电阻单元(400)、寄生源区等效电阻R(501)、寄生漏极等效电阻R(502)、寄生栅极等效电阻R(503)；其中，所述栅漏等效电路单元(200)与所述沟道区热电阻单元(400)串联，与所述栅源等效电路单元(100)并联，形成第一支路；所述漏源等效电路单元(300)并联到所述第一支路上，形成第二支路；所述寄生源区等效电阻R(501)、寄生漏极等效电阻R(502)分别串联到所述第二支路的两端，所述寄生栅极等效电阻R(503)连接到所述沟道区热电阻单元(400)上。sdgsdg