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场板结构氧化镓功率MOSFET大信号等效电路模型
摘要文本
本发明公开了场板结构氧化镓功率MOSFET大信号等效电路模型，包括：GS等效电路单元、GD等效电路单元、DS等效电路单元，以及沟道区热电阻单元、场板结构单元、寄生源区等效电阻Rs、寄生漏极等效电阻Rd、寄生栅极等效电阻Rg；GD等效电路单元和沟道区热电阻单元串联再与GS等效电路单元并联；GS等效电路单元、GD等效电路单元和沟道区热电阻单元与DS等效电路单元并联；场板结构单元与其他各结构并联。本发明能精确反映场板结构氧化镓功率MOSFET器件的物理本质，准确的模拟器件物理特性，具有设计直观、参数提取过程简单的优点，同时将所建立的等效电路模型嵌入仿真软件中。 来自马-克-数-据-官网
申请人信息
- 申请人:燕山大学
- 申请人地址:066000 河北省秦皇岛市河北大街西段438号
- 发明人: 燕山大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 场板结构氧化镓功率MOSFET大信号等效电路模型 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311710562.0 |
| 申请日 | 2023/12/13 |
| 公告号 | CN117709265A |
| 公开日 | 2024/3/15 |
| IPC主分类号 | G06F30/36 |
| 权利人 | 燕山大学 |
| 发明人 | 周春宇; 杨荣; 尚建蕊; 陈帅; 徐超; 孙继浩; 贾仁需 |
| 地址 | 河北省秦皇岛市河北大街西段438号 |
专利主权项内容
1.场板结构氧化镓功率MOSFET大信号等效电路模型，其特征在于，包括：GS等效电路单元(100)、GD等效电路单元(200)、DS等效电路单元(300)，以及沟道区热电阻单元(400)、场板结构单元(500)、寄生源区等效电阻R(601)、寄生漏极等效电阻R(602)、寄生栅极等效电阻R(603)；所述GD等效电路单元(100)和所述沟道区热电阻单元(400)串联再与所述GS等效电路单元(100)并联；所述GS等效电路单元(100)、所述GD等效电路单元(200)和所述沟道区热电阻单元(400)与所述DS等效电路单元(300)并联；场板结构单元(500)与其他各结构并联。sdg