一种微米双内凹结构表面的制造方法、超疏油材料
摘要文本
本发明提供一种微米双内凹结构表面的制造方法、超疏油材料，属于功能性材料技术领域，制造方法包括：在半导体材料的表面设置光刻胶层；使预设微图案转移至光刻胶层上，得到光刻胶掩模板；对二氧化硅层进行第二刻蚀，在二氧化硅层上与预设微图案对应位置形成第一圆柱孔阵列；对硅层进行第三刻蚀，在硅层中形成第二圆柱孔，去除光刻胶掩膜板；形成沉积二氧化硅层，去除位于第二圆柱孔底部的沉积二氧化硅层；采用Bosch工艺，对第二圆柱孔中的硅进行各向异性刻蚀；继续对第二圆柱孔中硅层进行各向同性刻蚀，形成了微米双内凹结构表面。本发明能够增大结构表面的突破压和三相界面稳固性，实现对低表面张力液体的稳固超排斥。
申请人信息
- 申请人:哈工大郑州研究院; 哈尔滨工业大学
- 申请人地址:450000 河南省郑州市郑东新区龙湖中环北路龙源东七街交叉口
- 发明人: 哈工大郑州研究院; 哈尔滨工业大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种微米双内凹结构表面的制造方法、超疏油材料 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311841591.0 |
| 申请日 | 2023/12/28 |
| 公告号 | CN117594435A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | H01L21/3065 |
| 权利人 | 哈工大郑州研究院; 哈尔滨工业大学 |
| 发明人 | 王迎珂; 徐杰; 苏轩; 李尚 |
| 地址 | 河南省郑州市郑东新区龙湖中环北路龙源东七街交叉口; 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 |
专利主权项内容
1.一种微米双内凹结构表面的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、在半导体材料的表面设置光刻胶层；其中，所述半导体材料包括上下设置的硅层(1)和二氧化硅层(2)，所述光刻胶层设置在所述二氧化硅层(2)远离所述硅层(1)一侧的表面上；步骤S2、对所述光刻胶层进行第一刻蚀，使预设微图案转移至光刻胶层上，得到光刻胶掩模板(3)；其中，所述预设微图案为圆孔阵列结构，所述圆孔阵列结构中相邻圆孔的间距相同；步骤S3、根据所述光刻胶掩模板(3)，对所述二氧化硅层(2)进行第二刻蚀，在所述二氧化硅层(2)上与所述预设微图案对应位置形成第一圆柱孔阵列，所述第一圆柱孔阵列中包括多个周期性阵列的第一圆柱孔，得到第一刻蚀半导体材料；步骤S4、在所述二氧化硅层(2)中所述预设微图案的对应区域，沿所述第一圆柱孔的轴向对所述硅层(1)进行第三刻蚀，在所述硅层(1)中形成与所述第一圆柱孔对应的第二圆柱孔，然后去除所述光刻胶掩膜板(3)，得到第二刻蚀半导体材料；步骤S5、在所述第二刻蚀半导体材料中具有所述二氧化硅层(2)的一侧沉积二氧化硅，形成沉积二氧化硅层(4)，然后通过刻蚀去除位于所述第二圆柱孔底部的所述沉积二氧化硅层(4)，得到第三刻蚀半导体材料；步骤S6、采用深反应离子刻蚀机的Bosch工艺，对所述第二圆柱孔中的所述硅层(1)进行各向异性刻蚀，得到第四刻蚀半导体材料；步骤S7、继续对所述第二圆柱孔中所述硅层(1)进行各向同性刻蚀，在所述半导体材料上形成了微米双内凹结构表面。