一种逆导型绝缘栅双极晶体管
摘要文本
本发明涉及绝缘栅双极晶体管技术领域，具体涉及一种逆导型绝缘栅双极晶体管，包括第一半导体层、第二半导体层、电荷蓄积层、栅极、发射层、发射极、场截止层、集电层、集电极、第一势垒层、第二势垒层、第一阴极层和第二阴极层；第二势垒层与第一势垒层的相邻侧之间留有第二预设间距，以形成电子流动通道；第二阴极层与第一阴极层的相邻侧之间留有第三预设间距，且第三预设间距大于第二预设间距；在电子竖向移动过程中，增加了横渡的过程，延长了电子移动路径，进而增加电阻，产生电压降低，可以轻松调制电导率，进而能够改善电压折回现象。通过抑制因电压折回现象引起的饱和电压升高现象，有效地解决逆导型绝缘栅双极晶体管特性被削弱问题。 专利查询网
申请人信息
- 申请人:浙江旺荣半导体有限公司
- 申请人地址:323010 浙江省丽水市莲都区南明山街道惠民街347号
- 发明人: 浙江旺荣半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种逆导型绝缘栅双极晶体管 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311525708.4 |
| 申请日 | 2023/11/16 |
| 公告号 | CN117577669A |
| 公开日 | 2024/2/20 |
| IPC主分类号 | H01L29/739 |
| 权利人 | 浙江旺荣半导体有限公司 |
| 发明人 | 郑镇荣; 高志亚; 柳和廷; 李宗宪; 金东植; 石松礼 |
| 地址 | 浙江省丽水市莲都区南明山街道惠民街347号 |
专利主权项内容
1.一种逆导型绝缘栅双极晶体管，其特征在于，包括：第一半导体层；第二半导体层，形成于所述第一半导体层的顶面上方；电荷蓄积层，形成于所述第一半导体层的顶面与所述第二半导体层的底面之间；栅极，包括沿所述第一半导体层的体长方向依次分布的第一沟槽部、第二沟槽部和第三沟槽部；所述第一沟槽部的上部延伸至所述第二半导体层内，下部延伸至所述第一半导体层内；所述第二沟槽部的上部延伸至所述第二半导体层内，下部延伸至所述第一半导体层内；所述第二沟槽部与所述第一沟槽部的相邻侧平行设置，之间留有第一预设间距；所述第三沟槽部的上部延伸至所述第二半导体层内，下部延伸至所述第一半导体层内；所述第三沟槽部与所述第二沟槽部的相邻侧平行设置，之间也留有所述第一预设间距；发射层，形成于所述第二半导体层的顶面的上方；发射极，形成于所述发射层的顶面的上方，与所述发射层接触；场截止层，形成于所述第一半导体层的底面的下方；集电层，形成于所述场截止层的底面的下方；集电极，形成于所述集电层的底面的下方；第一势垒层，设于所述电荷蓄积层的底面的下方，且位于所述发射层的一端的下方，用于阻碍来自所述发射层的电子流向所述集电极；第二势垒层，设于所述电荷蓄积层的底面的下方，且位于所述发射层的另一端的下方，用于阻碍来自所述发射层的电子流向所述集电极；所述第二势垒层与所述第一势垒层的相邻侧之间留有第二预设间距，以形成电子流动通道；第一阴极层，形成于所述第一势垒层的底面的下方，且位于所述场截止层的底面与所述集电极的顶面之间，用于收集来自所述发射层的电子；第二阴极层，形成于所述第二势垒层的底面的下方，且位于所述场截止层的底面与所述集电极的顶面之间，用于收集来自所述发射层的电子；所述第二阴极层与所述第一阴极层的相邻侧之间留有第三预设间距，且所述第三预设间距大于所述第二预设间距。。来源：马 克 数 据 网