电力半导体元件及其加工装置
摘要文本
本说明书实施例提供一种电力半导体元件及其加工装置，其中所述电力半导体元件包括：形成场截止层的第一半导体层、第二半导体层形成于所述第一半导体层上、电荷蓄积层形成于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，且掺杂浓度高于所述第一半导体层和第一栅极和第二栅极；第一沟槽部及第二沟槽部贯穿所述第二半导体层，延伸至第一半导体层，且相互间隔一定距离；发射极形成于所述第二半导体层上方；发射层形成于所述第一沟槽部与所述第二沟槽部之间，且与所述第一沟槽部和所述第二沟槽部接触；能够通过限制短路电路最大电流容量的结构，加强电力半导体元件的健全性，防止发生短路时电力半导体元件在保护电路运行前被破坏，并有短路电流流动。
申请人信息
- 申请人:浙江旺荣半导体有限公司
- 申请人地址:323010 浙江省丽水市莲都区南明山街道惠民街347号
- 发明人: 浙江旺荣半导体有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 电力半导体元件及其加工装置 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311526090.3 |
| 申请日 | 2023/11/16 |
| 公告号 | CN117594646A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | H01L29/739 |
| 权利人 | 浙江旺荣半导体有限公司 |
| 发明人 | 郑镇荣; 高志亚; 柳和廷; 李宗宪; 金东植; 石松礼 |
| 地址 | 浙江省丽水市莲都区南明山街道惠民街347号 |
专利主权项内容
1.一种电力半导体元件，其特征在于，包括：形成场截止层(111)的第一半导体层(110)、第二半导体层(120)形成于所述第一半导体层(110)上、电荷蓄积层(130)形成于所述第一半导体层(110)和所述第二半导体层(120)之间，所述电荷蓄积层(130)的掺杂浓度高于所述第一半导体层(110)的掺杂浓度；第一沟槽部(140)及第二沟槽部(140a)贯穿所述第二半导体层(120)，延伸至第一半导体层(110)，且相互间隔一定距离；发射极(150)形成于所述第二半导体层(120)上方；第一发射层(160)和第二发射层(160a)形成于所述第一沟槽部(140)与所述第二沟槽部(140a)之间，且与所述第一沟槽部(140)和所述第二沟槽部(140a)接触；第一势垒层(170)及第二势垒层(170a)平行设于所述第一沟槽部(140)和所述第二沟槽部(140a)的下方，相互间隔一定距离，且与所述第一沟槽部(140)和所述第二沟槽部(140a)垂直相交，阻碍电子从所述第一发射层(160)和第二发射层(160a)向集电极(180)流动；集电极(180)与形成于所述第一半导体层(110)下方的集电层(181)相连。。马-克-数据