半导体器件的制造方法

摘要文本

本发明提供一种半导体器件的制造方法，在半导体衬底上形成第一碳膜做掩膜层，并采用含硅光刻胶材料对第一碳膜上形成图案化的光刻胶层，且在以图案化的光刻胶层为掩膜刻蚀所述第一碳膜，将相应的图形转移到该第一碳膜上之后，对该光刻胶层进行碳化，使其转换为第二碳膜，由此一方面可以避免带光刻胶的膜层进入后续的高温加工工艺时会污染加工机台的问题，以及避免后续的高温加工工艺下光刻胶的形貌会发生变化而不利于图形转移到半导体衬底中的问题，另一方面，在完成后续的半导体加工工艺之后，还能通过同一道去除工艺将第二碳膜和第一碳膜去除，由此简化了工艺，降低了成本，并避免了光刻胶残留。