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一种体声波谐振器件及其制备方法
摘要文本
本申请公开了一种体声波谐振器件及其制备方法,涉及谐振器技术领域,本申请的体声波谐振器件,包括衬底以及设置于衬底上的多个谐振组件,谐振组件包括依次设置于衬底上的底电极、压电层和顶电极,多个谐振组件依次连接形成连接环,其中,相邻两个谐振组件中一个谐振组件的顶电极与另一个谐振组件底电极连接,间隔一个谐振组件的两个第一谐振组件的顶电极相连用于连接输入信号,两个第一谐振器的底电极相连用于连接输出信号。本申请提供的体声波谐振器件及其制备方法,能够在不增大体声波谐振器件占用面积的基础上,提高二次谐波的抑制效果。
申请人信息
- 申请人:武汉敏声新技术有限公司
- 申请人地址:430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城三期D7栋4层01号
- 发明人: 武汉敏声新技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种体声波谐振器件及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311303069.7 |
| 申请日 | 2023/10/9 |
| 公告号 | CN117375560A |
| 公开日 | 2024/1/9 |
| IPC主分类号 | H03H9/02 |
| 权利人 | 武汉敏声新技术有限公司 |
| 发明人 | 代金豪; 张晋衔; 杨婷婷; 陈思; 袁汉龙; 童欣; 卢亮宇; 吴国强; 王健; 孙博文; 孙成亮 |
| 地址 | 湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城三期D7栋4层01号 |
专利主权项内容
1.一种体声波谐振器件,其特征在于,包括衬底以及设置于所述衬底上的多个谐振组件,所述谐振组件包括依次设置于所述衬底上的底电极、压电层和顶电极,多个谐振组件依次连接形成连接环,其中,相邻两个谐振组件中一个谐振组件的顶电极与另一个谐振组件底电极连接,间隔一个谐振组件的两个第一谐振组件的顶电极相连用于连接输入信号,两个第一谐振器的底电极相连用于连接输出信号。。关注公众号马 克 数 据 网