晶体管器件及其制备方法、半导体集成电路及其制备方法

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本发明提供了一种晶体管器件及其制备方法、半导体集成电路及其制备方法。在晶体管器件的制备过程中，在形成栅极沟槽之后，通过该栅极沟槽将第二导电类型的离子注入至栅极沟槽外周的材料层内，以在栅极沟槽的外周形成第二导电类型的掺杂区，实现了在较低的注入能量和较低的注入剂量下可以将离子注入至衬底的较深位置中，使得晶体管器件所需的衬底区域可以被调整为合适的导电类型，满足晶体管器件的需求。因此，根据本发明提供的制备方法可以实现晶体管器件与任意类型的衬底适配，从而更容易与其他器件集成设置，例如可实现该晶体管器件和BCD器件集成设置在同一衬底上。