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碳化硅功率器件及其制造方法
摘要文本
本发明提供了一种碳化硅功率器件及其制造方法，通过形成栅极结构时，同时形成掩膜结构，所述掩膜结构覆盖第二导电类型区域，接着，可以在第一导电类型区域上形成与之相对应的第一欧姆接触，然后去除掩膜结构，在第二导电类型区域上形成与之对应的第二欧姆接触，即不同的导电类型区域匹配不同的欧姆接触，从而解决了现有技术中不能同时兼顾不同导电类型区域上的欧姆接触的性能的问题。
申请人信息
- 申请人:芯联集成电路制造股份有限公司
- 申请人地址:312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号
- 发明人: 芯联集成电路制造股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 碳化硅功率器件及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311783203.8 |
| 申请日 | 2023/12/22 |
| 公告号 | CN117650051A |
| 公开日 | 2024/3/5 |
| IPC主分类号 | H01L21/336 |
| 权利人 | 芯联集成电路制造股份有限公司 |
| 发明人 | 刘慧莹; 李枭; 谢志平; 王珏 |
| 地址 | 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号 |
专利主权项内容
1.一种碳化硅功率器件的制造方法，其特征在于，所述碳化硅功率器件的制造方法包括：提供碳化硅衬底，所述碳化硅衬底中形成有第一导电类型区域和第二导电类型区域；在所述碳化硅衬底上形成栅极结构，同时在所述第二导电类型区域上形成掩膜结构，并且暴露出所述第一导电类型区域；在暴露出的所述第一导电类型区域上形成对应的第一欧姆接触；去除所述掩膜结构，以暴露出所述第二导电类型区域；以及，在暴露出的所述第二导电类型区域上形成对应的第二欧姆接触。