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一种碳化硅平面MOS器件及其制备方法
摘要文本
本发明提供一种碳化硅平面MOS器件及其制备方法，碳化硅平面MOS器件在间隙处通过金属覆盖层填充钝化层内侧的间隙，而非PI层填充钝化层内侧的间隙，该结构增加了cell区有效面积，还避免了PI层在间隙处对钝化层施加大的应力，即减少了钝化层在间隙侧壁的应力，起到了对钝化层的保护，改善了钝化层在间隙侧壁开裂的现象，从而优化了碳化硅平面MOS器件的可靠性。
申请人信息
- 申请人:芯联集成电路制造股份有限公司
- 申请人地址:312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号
- 发明人: 芯联集成电路制造股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种碳化硅平面MOS器件及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311686672.8 |
| 申请日 | 2023/12/8 |
| 公告号 | CN117497598A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H01L29/78 |
| 权利人 | 芯联集成电路制造股份有限公司 |
| 发明人 | 苏萌萌; 谢志平; 李枭; 史海笑; 刘双娟 |
| 地址 | 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号 |
专利主权项内容
1.一种碳化硅平面MOS器件，其特征在于，包括：栅极结构，位于所述碳化硅衬底上；源区，位于碳化硅衬底中，且位于相邻两个所述栅极结构之间；介质层，覆盖所述栅极结构和碳化硅衬底；栅极金属层，设置在所述介质层上，所述栅极金属层贯通所述介质层，并与所述栅极结构接触；源极金属层，设置在所述介质层上，所述源极金属层贯通所述介质层，并与所述源区接触，其中，所述栅极金属层和源极金属层之间具有间隙；钝化层，覆盖所述栅极金属层、所述间隙的内壁，以及所述间隙附近的所述源极金属层；金属覆盖层，覆盖所述钝化层并填充所述间隙；PI层，覆盖所述金属覆盖层。。微信公众号马克 数据网