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WAT测试结构
摘要文本
本发明提供一种WAT测试结构。所述WAT测试结构至少部分形成在多个层叠的半导体材料层中，多个半导体材料层包括测试层以及位于测试层上的连接层；WAT测试结构包括第一测试单元；第一测试单元包括位于测试层中的第一电阻条以及位于连接层中的第二电阻条和第三电阻条；第二电阻条与第一电阻条的一端连接，第三电阻条与第一电阻条的另一端连接；第二电阻条和第三电阻条的长度与横截面积的比值均小于第一电阻条的长度与横截面积的比值；测试层中具有功能掺杂区，第一电阻条和测试层的功能掺杂区在同一工艺中形成；通过检测第一测试单元的阻值可以监控测试层的功能掺杂区，实现单一半导体材料层中功能掺杂区的工艺稳定性的监控。
申请人信息
- 申请人:芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司
- 申请人地址:312000 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路508号
- 发明人: 芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | WAT测试结构 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311681869.2 |
| 申请日 | 2023/12/8 |
| 公告号 | CN117594572A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | H01L23/544 |
| 权利人 | 芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司 |
| 发明人 | 梁路; 韩廷瑜 |
| 地址 | 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路508号 |
专利主权项内容
1.一种WAT测试结构，其特征在于，所述WAT测试结构至少部分形成在多个层叠的半导体材料层中，多个所述半导体材料层包括测试层以及位于所述测试层上的连接层；所述WAT测试结构包括第一测试单元；所述第一测试单元包括位于所述测试层中的第一电阻条以及位于所述连接层中的第二电阻条和第三电阻条；所述第二电阻条与所述第一电阻条的一端连接，所述第三电阻条与所述第一电阻条的另一端连接；所述第二电阻条和所述第三电阻条的长度与横截面积的比值均小于所述第一电阻条的长度与横截面积的比值；所述测试层中具有功能掺杂区，所述第一电阻条和所述测试层的功能掺杂区在同一工艺中形成；通过检测所述第一测试单元的阻值以监控所述测试层的功能掺杂区，若所述第一测试单元的阻值在第一设定阈值范围内，判断所述测试层的功能掺杂区无异常。