← 返回列表

多孔碳及其制备方法、硅碳负极材料、硅碳负极材料的制备方法

申请号: CN202311566243.7
申请人: 浙江中宁硅业股份有限公司
申请日期: 2023/11/22

摘要文本

本发明提供了一种多孔碳及其制备方法、硅碳负极材料、硅碳负极材料的制备方法。所述多孔碳用于制备硅碳负极材料,所述多孔碳的制备方法包括:S100、采用生物质碳源为原料,通过热处理,将所述生物质碳源碳化,制备获得所述多孔碳的粗品;S200、采用有机碳源,通过化学气相沉积,对通过S100制备获得的所述多孔碳的粗品进行孔隙填充封闭处理,获得所述多孔碳的成品。所述生物质碳源包括:椰壳、秸秆、稻壳、木料、竹子、甘蔗渣、坚果壳。本发明通过对所述多孔碳的粗品进行孔隙填充封闭处理,可以将所述多孔碳的中尺寸过于小的孔隙封闭,从而降低所述多孔碳的比表面积。由此,在采用本发明的多孔碳,更加适用于硅碳负极材料的制备。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 多孔碳及其制备方法、硅碳负极材料、硅碳负极材料的制备方法
专利类型 发明申请
申请号 CN202311566243.7
申请日 2023/11/22
公告号 CN117776183A
公开日 2024/3/29
IPC主分类号 C01B32/354
权利人 浙江中宁硅业股份有限公司
发明人 栗广奉; 郑安雄; 张鹏飞; 阮愉悦; 孔祥云
地址 浙江省衢州市高新技术产业园区华荫北路27号

专利主权项内容

1.一种多孔碳的制备方法,其特征在于,所述多孔碳用于制备硅碳负极材料,所述多孔碳的制备方法包括:S100、采用生物质碳源为原料,通过热处理,将所述生物质碳源碳化,制备获得所述多孔碳的粗品;S200、采用有机碳源,通过化学气相沉积,对通过S100制备获得的所述多孔碳的粗品进行孔隙填充封闭处理,获得所述多孔碳的成品。