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多孔碳及其制备方法、硅碳负极材料、硅碳负极材料的制备方法
摘要文本
本发明提供了一种多孔碳及其制备方法、硅碳负极材料、硅碳负极材料的制备方法。所述多孔碳用于制备硅碳负极材料,所述多孔碳的制备方法包括:S100、采用生物质碳源为原料,通过热处理,将所述生物质碳源碳化,制备获得所述多孔碳的粗品;S200、采用有机碳源,通过化学气相沉积,对通过S100制备获得的所述多孔碳的粗品进行孔隙填充封闭处理,获得所述多孔碳的成品。所述生物质碳源包括:椰壳、秸秆、稻壳、木料、竹子、甘蔗渣、坚果壳。本发明通过对所述多孔碳的粗品进行孔隙填充封闭处理,可以将所述多孔碳的中尺寸过于小的孔隙封闭,从而降低所述多孔碳的比表面积。由此,在采用本发明的多孔碳,更加适用于硅碳负极材料的制备。
申请人信息
- 申请人:浙江中宁硅业股份有限公司
- 申请人地址:324000 浙江省衢州市高新技术产业园区华荫北路27号
- 发明人: 浙江中宁硅业股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 多孔碳及其制备方法、硅碳负极材料、硅碳负极材料的制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311566243.7 |
| 申请日 | 2023/11/22 |
| 公告号 | CN117776183A |
| 公开日 | 2024/3/29 |
| IPC主分类号 | C01B32/354 |
| 权利人 | 浙江中宁硅业股份有限公司 |
| 发明人 | 栗广奉; 郑安雄; 张鹏飞; 阮愉悦; 孔祥云 |
| 地址 | 浙江省衢州市高新技术产业园区华荫北路27号 |
专利主权项内容
1.一种多孔碳的制备方法,其特征在于,所述多孔碳用于制备硅碳负极材料,所述多孔碳的制备方法包括:S100、采用生物质碳源为原料,通过热处理,将所述生物质碳源碳化,制备获得所述多孔碳的粗品;S200、采用有机碳源,通过化学气相沉积,对通过S100制备获得的所述多孔碳的粗品进行孔隙填充封闭处理,获得所述多孔碳的成品。