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一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池和用电设备

申请号: CN202311648231.9
申请人: 一道新能源科技股份有限公司
申请日期: 2023/12/5

摘要文本

本发明提供了一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池和用电设备,涉及新能源技术领域。所述方法包括:获取目标硅片;目标硅片包括具有绒面结构的第一表面;对第一表面进行激光刻槽处理,得到刻槽表面;对刻槽表面进行硼扩散处理,得到硼扩后的目标硅片;硼扩后的目标硅片包括覆盖在刻槽表面的发射极层;对硼扩后的目标硅片进行退火处理,得到退火后的目标硅片;对退火后的目标硅片进行二次硼扩散处理,得到二次硼扩后的目标硅片;基于二次硼扩后的目标硅片,制备目标太阳能电池。本发明实施例可以降低激光刻槽处理对硅片表面绒面结构的破坏程度,降低二次硼扩后的目标硅片的表面反射率,提高目标太阳能电池的光电转换效率。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池和用电设备
专利类型 发明申请
申请号 CN202311648231.9
申请日 2023/12/5
公告号 CN117352597A
公开日 2024/1/5
IPC主分类号 H01L31/18
权利人 一道新能源科技股份有限公司
发明人 徐宸; 闫用用; 吴新荣; 蔡伦; 刘向东; 洪成浩; 申品文; 蒋兆鹏
地址 浙江省衢州市百灵南路43号

专利主权项内容

1.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述方法包括:获取目标硅片;所述目标硅片为N型硅片,所述目标硅片包括具有绒面结构的第一表面;对所述第一表面进行激光刻槽处理,得到刻槽表面;对所述刻槽表面进行硼扩散处理,得到硼扩后的目标硅片;所述硼扩后的目标硅片包括覆盖在所述刻槽表面的发射极层,所述发射极层包括P型重掺杂区和P型轻掺杂区;对所述硼扩后的目标硅片进行退火处理,得到退火后的目标硅片;对所述退火后的目标硅片进行二次硼扩散处理,得到二次硼扩后的目标硅片;所述二次硼扩后的目标硅片包括覆盖在所述刻槽表面的氧化物层;基于所述二次硼扩后的目标硅片,制备目标太阳能电池。