三维存储器架构及其刷新方法和存储器

专利主权项内容

1.一种三维存储器架构，其特征在于，包括：存储单元层，所述存储单元层包括温度传感器，所述温度传感器配置为输出存储单元层的温度结果；逻辑控制层，所述逻辑控制层包括刷新电路，所述刷新电路配置为基于温度结果控制存储单元层的刷新频率；多个所述存储单元层沿竖直方向堆叠在所述逻辑控制层上；所述刷新电路包括温度传感器控制电路、温度检测控制电路和刷新控制电路；所述温度传感器控制电路用于接收刷新命令生成温度传感器控制命令，所述温度传感器控制命令用于控制温度传感器工作输出温度结果；所述温度检测控制电路用于接收温度结果生成温度检测结果；所述刷新控制电路用于接收温度检测结果生成刷新控制命令和刷新控制地址，所述刷新控制命令用于控制存储单元层的刷新频率；第一硅通孔，用于传输温度传感器控制命令和温度监测结果，远离逻辑控制层的3个存储单元层共用所述第一硅通孔，其中，远离逻辑控制层的3个存储单元层的刷新频率相同，所述刷新频率与远离逻辑控制层的3个存储单元层中的最高温度结果相对应；第二硅通孔，用于传输温度传感器控制命令和温度监测结果，靠近逻辑控制层的3个存储单元层通过所述第二硅通孔与所述逻辑控制层连接，其中，靠近逻辑控制层的3个存储单元层的刷新频率与每一存储单元层的温度结果相对应，所述刷新频率随着温度结果的增加而增加。