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一种三维存储器架构及其刷新方法和存储器
摘要文本
本申请提供了一种三维存储器架构及其刷新方法和存储器，其中，所述三维存储器架构包括：存储单元层，所述存储单元层包括存储阵列和控制电路，所述控制电路配置为控制存储阵列的刷新频率；逻辑控制层，多个所述存储单元层沿竖直方向堆叠在所述逻辑控制层上。每一存储单元层可以通过各层的控制电路有选择的执行刷新操作，每层可单独调整刷新频率。进而可以进一步控制存储器的功耗，避免字线地址漏刷，提高存储数据的可靠性。
申请人信息
- 申请人:浙江力积存储科技有限公司
- 申请人地址:321035 浙江省杭州市金华市金东区孝顺镇正涵南街1088号13楼1302室
- 发明人: 浙江力积存储科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种三维存储器架构及其刷新方法和存储器 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311686986.8 |
| 申请日 | 2023/12/11 |
| 公告号 | CN117393015B |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | G11C11/406 |
| 权利人 | 浙江力积存储科技有限公司 |
| 发明人 | 汪佳峰 |
| 地址 | 浙江省杭州市金华市金东区孝顺镇正涵南街1088号13楼1302室 |
专利主权项内容
1.一种三维存储器架构，其特征在于，包括：存储单元层，所述存储单元层包括存储阵列和控制电路，所述控制电路配置为控制存储阵列的刷新频率；所述控制电路基于模式配置信号和字线地址遍历信号控制存储阵列的刷新频率，所述模式配置信号用于调节刷新频率的有效值，所述字线地址遍历信号用于确定执行刷新操作的时机；逻辑控制层，多个所述存储单元层沿竖直方向堆叠在所述逻辑控制层上；所述逻辑控制层包括命令接收及编译电路、内部刷新命令产生电路、字线地址生成电路和模式配置信号生成电路；所述命令接收及编译电路用于接收外部刷新命令输出预刷新命令；所述内部刷新命令产生电路用于接收预刷新命令输出刷新命令；所述字线地址生成电路用于接收所述刷新命令生成字线地址遍历信号和字线地址；所述模式配置信号生成电路用于接收所述刷新命令生成模式配置信号。