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一种二阶补偿低温度系数基准电压集成电路

申请号: CN202311367739.1
申请人: 华芯科技(恩施)有限公司
申请日期: 2023/10/19

摘要文本

本发明提出了一种二阶补偿低温度系数基准电压集成电路,其包括一阶补偿电路和二阶补偿电路。本发明通过一阶补偿电路与二阶补偿电路的连接,对基准电压在一阶温度补偿的基础上,进行二阶温度补偿,使系统输出的基准电压具有更低的温度系数,进而满足高精度集成电路的应用需求。本发明通过偏置电路与一阶电压电路的连接,使一阶电压电路正常工作,并输出一路一阶温度补偿电压和两路工作电压到二阶补偿电路中。本发明通过反馈电路与二阶基准电路的连接,使二阶基准电路具备负反馈环路,并在控制信号的作用下,产生二阶温度补偿电压。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种二阶补偿低温度系数基准电压集成电路
专利类型 发明申请
申请号 CN202311367739.1
申请日 2023/10/19
公告号 CN117492507A
公开日 2024/2/2
IPC主分类号 G05F1/567
权利人 华芯科技(恩施)有限公司
发明人 黄礼华; 郜黎明
地址 湖北省恩施土家族苗族自治州六角亭街道办事处松树坪村硒谷路

专利主权项内容

1.一种二阶补偿低温度系数基准电压集成电路,其特征在于,包括一阶补偿电路(1)和二阶补偿电路(2);一阶补偿电路(1)与二阶补偿电路(2)连接,一阶补偿电路(1)产生多路偏置电压及一路一阶温度补偿电压,并传输到二阶补偿电路(2)中;二阶补偿电路(2)在两路控制信号的作用下,产生两个一阶温度补偿电压,并将两个一阶温度补偿电压合并,以形成一个二阶温度补偿电压;二阶补偿电路(2)将二阶温度补偿电压作为低温度系数基准电压输出。