← 返回列表
一种基于大面积、高质量的In2Se3/Ga2O3异质结结构及其制备方法和应用
摘要文本
本发明公开了一种基于大面积、高质量的In2Se3/Ga2O3异质结结构及其制备方法和应用，涉及光电探测器技术领域。本发明所述的In2Se3/Ga2O3异质结结构，包括Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜，其中：所述Ga2O3薄膜和In2Se3薄膜的尺寸均为英寸级。本发明的In2Se3/Ga2O3异质结结构可用于日盲型紫外光电探测器和/或三端场效应晶体管。本发明的日盲型紫外光电探测器，包括：衬底；Ga2O3薄膜；In2Se3薄膜；金电极。本发明的In2Se3/Ga2O3异质结日盲型紫外光电探测器，生长了英寸级的大面积Ga2O3薄膜，并在其上转移了英寸级的大面积In2Se3薄膜。该异质结大大降低了日盲型紫外光电探测器的暗电流并提升了器件的光电性能，使其在低光功率密度下仍然具有优异的光电响应。 来自马-克-数-据-官网
申请人信息
- 申请人:湖北大学
- 申请人地址:430000 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
- 发明人: 湖北大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于大面积、高质量的In2Se3/Ga2O3异质结结构及其制备方法和应用 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311795201.0 |
| 申请日 | 2023/12/25 |
| 公告号 | CN117594676A |
| 公开日 | 2024/2/23 |
| IPC主分类号 | H01L31/032 |
| 权利人 | 湖北大学 |
| 发明人 | 王浩; 危家昀; 韩伟; 关爽; 沈谅平 |
| 地址 | 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号 |
专利主权项内容
1.一种大面积、高质量的InSe/GaO异质结结构，其特征在于：包括GaO薄膜和InSe薄膜，所述InSe薄膜设置在GaO薄膜表面，其中：所述GaO薄膜和InSe薄膜的尺寸均为英寸级。2323232323232323。来自马-克-数-据