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一种双结耦合型自驱动紫外光电探测器及其制备方法
摘要文本
本发明提供了一种双结耦合型自驱动紫外光电探测器及其制备方法。本发明的双结耦合型自驱动紫外光电探测器，在基于pn结n‑Ga2O3 : Sn/p‑GaN器件的基础上，再构建n‑ZnO/n‑Ga2O3 : Sn异质nn结，使异质nn结与pn结两者内建电场方向一致，利用两者内建电场叠加耦合在光照下可以共同作用分离和传输光生载流子，以此来提升探测器的综合性能；通过对器件进行的光电性能测试发现，通过异质nn结和pn结的内建电场的叠加耦合的器件性能有了显著提高：在同样的255nm波长光照下，器件响应速度更快，响应度提升明显，且具有超高探测率。
申请人信息
- 申请人:湖北大学; 广州金升阳科技有限公司
- 申请人地址:430000 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号
- 发明人: 湖北大学; 广州金升阳科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种双结耦合型自驱动紫外光电探测器及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311359061.2 |
| 申请日 | 2023/10/19 |
| 公告号 | CN117476790A |
| 公开日 | 2024/1/30 |
| IPC主分类号 | H01L31/0352 |
| 权利人 | 湖北大学; 广州金升阳科技有限公司 |
| 发明人 | 何云斌; 朱弘毅; 陈兴驰; 陈相; 卢寅梅; 黎明锴; 陈剑; 尹向阳; 刘伟; 邓云 |
| 地址 | 湖北省武汉市武昌区友谊大道368号; 广东省广州市黄埔区南云四路8号 |
专利主权项内容
（macrodatas.cn） 。1.双结耦合型自驱动紫外光电探测器，其特征在于，包括：衬底；p型GaN薄膜层，其位于所述衬底表面；Sn掺杂n型GaO薄膜层，其位于所述p型GaN薄膜层远离所述衬底一侧的表面，所述Sn掺杂n型GaO薄膜层在所述p型GaN薄膜层表面的正投影不完全覆盖所述p型GaN薄膜层；2323n型ZnO薄膜层，其位于所述Sn掺杂n型Ga<薄膜层远离所述衬底一侧的表面；<<第一金属电极层，位于所述n型ZnO薄膜层远离所述衬底一侧的表面；第二金属电极层，位于所述p型GaN薄膜层且未被所述Sn掺杂n型Ga<薄膜层覆盖的表面。<<