← 返回列表
PN结掺杂结构、低损耗电光调制器及其制备方法
摘要文本
本申请涉及电光调制器的技术领域，具体涉及一种PN结掺杂结构、低损耗电光调制器及其制备方法，低损耗电光调制器包括PN结掺杂结构，PN结掺杂结构包括脊波导、限制层，脊波导包括依次连接的第一N型掺杂区域、第二N型掺杂区域、第二P型掺杂区域、第一P型掺杂区域，其中，所述第一N型掺杂区域的掺杂浓度大于所述第二N型掺杂区域，所述第一P型掺杂区域的掺杂浓度大于第二P型掺杂区域，所述第二N型掺杂区域、所述第二P型掺杂区域间形成横向PN结；限制层覆设于横向PN结端面，其中，用于制作所述限制层的材料的折射率大于二氧化硅的折射率，小于硅的折射率。本申请具有低光学损耗的效果。
申请人信息
- 申请人:众瑞速联(武汉)科技有限公司
- 申请人地址:430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳园南路18号新特光电工业园产业大楼(科苑楼)601室(自贸区武汉片区)
- 发明人: 众瑞速联(武汉)科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | PN结掺杂结构、低损耗电光调制器及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311703946.X |
| 申请日 | 2023/12/13 |
| 公告号 | CN117389071A |
| 公开日 | 2024/1/12 |
| IPC主分类号 | G02F1/015 |
| 权利人 | 众瑞速联(武汉)科技有限公司 |
| 发明人 | 杨明; 何伟炜 |
| 地址 | 湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳园南路18号新特光电工业园产业大楼(科苑楼)601室(自贸区武汉片区) |
专利主权项内容
1.PN结掺杂结构，其特征在于，包括：脊波导，其包括依次连接的第一N型掺杂区域(3)、第二N型掺杂区域(5)、第二P型掺杂区域(6)、第一P型掺杂区域(8)，其中，所述第一N型掺杂区域(3)的掺杂浓度大于所述第二N型掺杂区域(5)，所述第一P型掺杂区域(8)的掺杂浓度大于第二P型掺杂区域(6)，所述第二N型掺杂区域(5)、所述第二P型掺杂区域(6)间形成横向PN结；限制层(9)，其覆设于横向PN结端面，其中，用于制作所述限制层(9)的材料的折射率大于二氧化硅的折射率，小于硅的折射率。 马 克 数 据 网