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一种硅碳负极及其制备方法
摘要文本
（更多数据，详见马克数据网） 。本发明涉及锂离子电池负极材料的制备方法技术领域，尤其涉及硅碳负极及利用ALD技术在多孔碳中沉积硅层制备硅碳负极的方法。负极材料包括多孔碳基体和位于多孔碳基体孔道内部的纳米硅包覆层，纳米硅包覆层是由纳米二氧化硅通过高温热还原转化获得，纳米二氧化硅通过ALD技术在多孔碳表面和孔洞里面沉积所得，采用ALD技术在多孔碳表面和孔洞里面沉积纳米二氧化硅，能够避免使用危险的硅烷气体，从而提高安全性。
申请人信息
- 申请人:柔电(武汉)科技有限公司; 宁波柔创纳米科技有限公司
- 申请人地址:430070 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道303号光谷.芯中心2-03栋402室
- 发明人: 柔电(武汉)科技有限公司; 宁波柔创纳米科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种硅碳负极及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311376224.8 |
| 申请日 | 2023/10/23 |
| 公告号 | CN117438558A |
| 公开日 | 2024/1/23 |
| IPC主分类号 | H01M4/36 |
| 权利人 | 柔电(武汉)科技有限公司; 宁波柔创纳米科技有限公司 |
| 发明人 | 解明; 张宣宣; 李煜宇 |
| 地址 | 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道303号光谷.芯中心2-03栋402室; 浙江省宁波市杭州湾新区滨海二路1188号科技创业服务中心12楼1213-44室 |
专利主权项内容
1.一种硅碳负极，其特征在于，所述负极材料包括多孔碳基体和位于多孔碳基体孔道内部的纳米硅包覆层，所述纳米硅包覆层是由纳米二氧化硅通过高温热还原转化获得，所述纳米二氧化硅是通过ALD技术在多孔碳表面和孔洞里面沉积所得的薄膜，所述多孔碳基体的平均介孔孔径为 50nm ，连接孔孔径为10nm，多孔碳基体的孔径分布于30~100纳米，所述多孔碳基体的内壁沉积纳米二氧化硅后，还保留孔结构，孔结构的体积为多孔碳基体介孔的至少2/3的空间。