电吸收调制器激光器及其制备方法

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本发明涉及芯片技术领域，提供了一种电吸收调制器激光器的制备方法，包括S1，经过掩膜、生长和刻蚀，在EAM区出光端形成窗口结构；S2，接着继续进行掩膜和刻蚀，制作深隔离沟槽；S3，接着再经过掩膜和刻蚀后，开电注入窗口，其中EAM窗口结构不开电注入窗口；S4，在LD区和EAM区制作电极，其中EAM窗口结构不做电极；S5，电极制作完毕后，解个成单个电吸收调制器激光器芯片。还提供一种电吸收调制器激光器，包括DFB激光器和EAM电吸收调制器，DFB激光器脊波导或隔离区两侧设有深隔离沟槽，EAM电吸收调制器出光端制作有窗口结构。本发明在DFB激光器浅脊波导或者隔离区的两侧设计深隔离沟槽来大幅减少DFB激光器载流子注入过程中在对接窗口的对接界面泄露的情况。