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一种发光元件的制备方法及发光元件
摘要文本
本发明提供了一种发光元件的制备方法，通过在P型半导体层的表面蒸镀Ni/Al金属层结构，形成Ni/Al反射电极；在P型半导体层表面及Ni/Al反射电极上方蒸镀Ni/Au金属层结构，形成Ni/Au欧姆接触电极，以形成一种分离式P面电极结构。其中，Ni/Au作为欧姆接触电极，Ni/Al作为反射电极结构。这样相比常规Ni/Au反射电极，此新型P面反射电极反射率更高；相比常规的Ni/Al反射电极，此新型P面反射电极欧姆接触性能更佳。本发明提出一种分离式P面电极结构，分离式Ni/Al作为反射金属层用以提升光反射率，覆盖式Ni/Au作为欧姆接触金属用以降低接触势垒。采用这种分离式P面电极结构，可以有效平衡上述欧姆接触势垒和反射率性能，从而提升器件的发光效率。
申请人信息
- 申请人:华引芯(武汉)科技有限公司
- 申请人地址:430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉新能源研究院大楼G2栋2层2015-2019号(自贸区武汉片区)
- 发明人: 华引芯(武汉)科技有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种发光元件的制备方法及发光元件 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311264936.0 |
| 申请日 | 2023/9/28 |
| 公告号 | CN117374189A |
| 公开日 | 2024/1/9 |
| IPC主分类号 | H01L33/40 |
| 权利人 | 华引芯(武汉)科技有限公司 |
| 发明人 | 请求不公布姓名; 徐晓丽; 杜治新; 刘芳; 徐威; 孙雷蒙 |
| 地址 | 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉新能源研究院大楼G2栋2层2015-2019号(自贸区武汉片区) |
专利主权项内容
1.一种发光元件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上依次生长出缓冲层、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层；刻蚀穿透所述P型半导体层和所述量子阱层，以形成一凹槽；在所述凹槽处制备N型电极；在所述P型半导体层的表面蒸镀Ni/Al金属层结构，以形成Ni/Al反射电极；在所述P型半导体层表面及所述Ni/Al反射电极上方蒸镀Ni/Au金属层结构，以形成Ni/Au欧姆接触电极；在所述Ni/Au欧姆接触电极和所述N型电极上方蒸镀一层保护金属；在外延区域上方镀第一钝化层；在所述第一钝化层上方蒸镀上一层侧壁反射金属结构；在外延区域上方镀上第二钝化层；在所述第二钝化层蚀刻区域上方通过蒸镀形成金属焊盘。