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一种二维氧化铁纳米片及其制备方法
摘要文本
本公开涉及纳米材料技术领域,提供了一种二维氧化铁纳米片及其制备方法。其中,二维氧化铁纳米片的制备方法包括:首先,将云母片放置于管式炉的下游区域;然后,将氧化铁粉末和六水合氯化铁晶体混合均匀,放置于管式炉的加热区域;最后,对管式炉进行加热,通过化学气相沉积工艺,在云母片上制得二维氧化铁纳米片。
申请人信息
- 申请人:湖北江城实验室
- 申请人地址:430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼
- 发明人: 湖北江城实验室
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种二维氧化铁纳米片及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311330935.1 |
| 申请日 | 2023/10/13 |
| 公告号 | CN117446871A |
| 公开日 | 2024/1/26 |
| IPC主分类号 | C01G49/06 |
| 权利人 | 湖北江城实验室 |
| 发明人 | 吴洁; 刘淑娟; 汪松; 任小宁 |
| 地址 | 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼 |
专利主权项内容
1.一种二维氧化铁纳米片的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:将云母片放置于管式炉的下游区域;将氧化铁粉末和六水合氯化铁晶体混合均匀,放置于所述管式炉的加热区域;对所述管式炉进行加热,通过化学气相沉积工艺,在所述云母片上制得所述二维氧化铁纳米片。