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半导体器件及其制造方法
摘要文本
本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，半导体器件的制造方法包括：于源极区和漏极区上形成贯穿第一绝缘介质层的至少一个导电插塞，且导电插塞与第一绝缘介质层之间形成有第一保护层；形成第二绝缘介质层于第一绝缘介质层上，且第二绝缘介质层覆盖第一保护层和至少一个导电插塞；于至少一个导电插塞上形成贯穿第二绝缘介质层的金属互连线，且金属互连线与第二绝缘介质层之间形成有第二保护层；去除相邻两条金属互连线之间的第二绝缘介质层和相邻两列至少一个导电插塞之间的第一绝缘介质层，以形成气隙；形成第三绝缘介质层将气隙封口。本发明的技术方案使得气隙的宽度得到明显增大，从而使得半导体器件的寄生电容得到明显降低。
申请人信息
- 申请人:武汉新芯集成电路制造有限公司
- 申请人地址:430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
- 发明人: 武汉新芯集成电路制造有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 半导体器件及其制造方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311338678.6 |
| 申请日 | 2023/10/16 |
| 公告号 | CN117374003A |
| 公开日 | 2024/1/9 |
| IPC主分类号 | H01L21/768 |
| 权利人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 发明人 | 朱新月; 李乐; 薛广杰; 朱奎 |
| 地址 | 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 |
专利主权项内容
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有晶体管和第一绝缘介质层，所述第一绝缘介质层覆盖所述晶体管，所述晶体管包括源极区和漏极区；于所述源极区和所述漏极区上形成贯穿所述第一绝缘介质层的至少一个导电插塞，且所述导电插塞与所述第一绝缘介质层之间形成有第一保护层；形成第二绝缘介质层于所述第一绝缘介质层上，且所述第二绝缘介质层覆盖所述第一保护层和所述至少一个导电插塞；于所述至少一个导电插塞上形成贯穿所述第二绝缘介质层的金属互连线，且所述金属互连线与所述第二绝缘介质层之间形成有第二保护层；去除相邻两条所述金属互连线之间的所述第二绝缘介质层和相邻两列所述至少一个导电插塞之间的所述第一绝缘介质层，以形成气隙；形成第三绝缘介质层将所述气隙封口。。 （来源 马克数据网）