谐振腔、半导体激光器以及谐振腔的制备方法

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本发明涉及一种谐振腔的制备方法，包括步骤：S1，选择未经刻蚀的有源层，将其划分为第一区域和第二区域，第二区域远离第一区域的一端为出光端，S2，对第一区域进行下沉刻蚀，并对第二区域进行形貌刻蚀，得到具有若干凸出部的第一阶段的谐振腔，S3，在第一阶段的谐振腔上掩埋外延生长有源层材料，加厚有源层，S4，生长完毕后，再次对第二区域进行形貌刻蚀，得到具有若干凸出部的第二阶段的谐振腔，第二阶段的谐振腔的各凸出部的尖端的连线和第二阶段的谐振腔的各凸出部的尖端的连线平行。还提供一种谐振腔和一种半导体激光器芯片。本发明可在不增加物理尺寸的基础上，增加有效谐振长度，提高了出光功率，降低了经外部反射回来的光的影响。