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基于周期应变的光电探测器及其制作方法
摘要文本
本申请涉及光电芯片制造技术领域，提出了一种基于周期应变的光电探测器及其制作方法，光电探测器包括：外延结构和分别形成于外延结构正面和背面的P面和N面电极层；外延结构从下至上依次包括：N型掺杂的InP衬底、形成于InP衬底上的N型InP过渡层、形成于N型InP过渡层上的第一InGaAs过渡层、形成于第一InGaAs过渡层上的周期插入匹配InGaAs层的应变InGaAs层、形成于周期插入匹配InGaAs层的应变InGaAs层上的第二InGaAs过渡层、形成于第二InGaAs过渡层上的InP过渡层、形成于InP过渡层上的P型掺杂的InGaAs接触层。通过该方案，有效地降低芯片的暗电流并提升其可靠性。 （来 自 马 克 数 据 网）
申请人信息
- 申请人:武汉敏芯半导体股份有限公司
- 申请人地址:430223 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号F2栋
- 发明人: 武汉敏芯半导体股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 基于周期应变的光电探测器及其制作方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311147126.7 |
| 申请日 | 2023/9/5 |
| 公告号 | CN117334776A |
| 公开日 | 2024/1/2 |
| IPC主分类号 | H01L31/105 |
| 权利人 | 武汉敏芯半导体股份有限公司 |
| 发明人 | 周江昊; 周志强; 黄晓鸣; 刘永康 |
| 地址 | 湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号F2栋 |
专利主权项内容
1.一种基于周期应变的光电探测器，其特征在于，包括：外延结构和分别形成于所述外延结构正面和背面的P面电极层和N面电极层；所述外延结构从下至上依次包括：N型掺杂的InP衬底、形成于所述InP衬底上的N型InP过渡层、形成于所述N型InP过渡层上的第一InGaAs过渡层、形成于所述第一InGaAs过渡层上的周期插入匹配InGaAs层的应变InGaAs层、形成于所述周期插入匹配InGaAs层的应变InGaAs层上的第二InGaAs过渡层、形成于所述第二InGaAs过渡层上的InP过渡层、形成于所述InP过渡层上的P型掺杂的InGaAs接触层。