半导体器件及其制造方法

摘要文本

本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：SOI衬底，包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和半导体层；浅沟槽隔离结构，形成于所述半导体层中，所述浅沟槽隔离结构所包围的半导体层为有源区；体区，形成于所述有源区中；深阱，形成于所述体区中，所述深阱的掺杂浓度大于所述体区的掺杂浓度；体接触区，从所述体区的顶部沿着所述体区靠近所述浅沟槽隔离结构的一侧延伸至与所述深阱接触，所述体接触区的掺杂浓度大于所述体区的掺杂浓度，所述体区、所述深阱和所述体接触区的掺杂类型相同。本发明能够避免空穴在体区积累而产生浮体效应，进而避免对半导体器件的性能产生影响。