← 返回列表
一种半导体合金靶材切削液及其制备方法
摘要文本
本发明公开了一种半导体合金靶材切削液及其制备方法，涉及半导体材料加工技术领域。本发明切削液包括如下重量百分比的原料：5‑15％润滑剂、0.05‑0.2％表面活性剂、4‑15％润滑防锈剂、0.5‑2％乳化助剂、1‑3％消泡剂、余量为水，各原料组分之和为100％。本申请制备的一种新型润滑防锈剂添加在切削液中，在靶材表面的油膜可以提供保护层，不仅可以抑制新产生的靶材表面与水反应生成氢气，而且摩擦表面形成边界润滑膜来实现润滑、防锈的性能。 百度搜索马 克 数 据 网
申请人信息
- 申请人:俄美达(武汉)有限公司
- 申请人地址:430074 湖北省武汉市江夏区庙山经济开发区汤逊湖工业园
- 发明人: 俄美达(武汉)有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种半导体合金靶材切削液及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311527545.3 |
| 申请日 | 2023/11/16 |
| 公告号 | CN117568090A |
| 公开日 | 2024/2/20 |
| IPC主分类号 | C10M173/02 |
| 权利人 | 俄美达(武汉)有限公司 |
| 发明人 | 高原; 吴明洋; 罗丽琳 |
| 地址 | 湖北省武汉市江夏区庙山经济开发区汤逊湖工业园 |
专利主权项内容
1.一种半导体合金靶材切削液，其特征在于，切削液包括如下重量百分比的原料：5-15％润滑剂、0.05-0.2％表面活性剂、4-15％润滑防锈剂、0.5-2％乳化助剂、1-3％消泡剂、余量为水，各原料组分之和为100％；所述润滑防锈剂的制备方法包括如下步骤：S1：氮气氛围中，将油酸、三乙醇胺加入反应釜A中，分散均匀，控制温度55-65℃，加入对甲苯磺酸，分散均匀，控制温度140-150℃，保温反应3-6h，得到组分一；S2：将组分一、甲酸、磷酸加入反应瓶中, 控制温度40-50℃，加入双氧水溶液，控制温度65-75℃，保温反应9-12h，静置、取上层液水洗至中性，减压蒸馏，得到组分二；S3：将组分二、硫酸溶液加入反应釜B中，控制温度100-110℃，回流反应1-3h，调节pH至中性，得到组分三；S4：将组分三、硼酸、甲苯加入反应釜C中，控制温度105-120℃，保温回流1-2h，加入乙醇胺，再反应12-18h, 减压蒸馏，得到润滑防锈剂。