具有埋入式电源轨的半导体结构及其制造方法

专利主权项内容

1.一种具有埋入式电源轨的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述具有埋入式电源轨的半导体结构的制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；在所述半导体衬底中形成第一隔离结构，所述第一隔离结构从所述第一表面延伸至所述半导体衬底中并隔离出多个器件区；在所述半导体衬底中形成器件结构，所述器件结构位于所述器件区中；形成第一接触结构和第二接触结构，所述第一接触结构贯穿所述第一隔离结构，所述第二接触结构和所述器件结构电连接；在所述半导体衬底的第一表面侧形成信号网络层，所述信号网络层和所述第一接触结构以及所述第二接触结构电连接；在所述半导体衬底中形成埋入式电源轨，所述埋入式电源轨和所述第一接触结构电连接；以及，在所述半导体衬底的第二表面侧形成电力输送网络层，所述电力输送网络层和所述埋入式电源轨电连接。