相变存储器及其形成方法、漏电测试方法

专利主权项内容

1.一种相变存储器，其特征在于，包括：基底；所述基底包括沿第一方向排布的阵列区和测试区，所述测试区至少包括第一区域；所述第一方向与第二方向垂直，所述第二方向为所述基底的厚度方向；第一导电线以及第一相变存储单元；所述第一导电线位于所述阵列区上，所述第一相变存储单元位于所述第一导电线上；所述第一导电线沿第三方向延伸，所述第一相变存储单元沿所述第二方向延伸；所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向均垂直；第一介质层；所述第一介质层位于所述第一区域上，且所述第一介质层的顶面与所述第一相变存储单元的顶面齐平；在所述第一相变存储单元上以及所述第一介质层上堆叠排布的第二导电线、第三导电线、第二相变存储单元以及第四导电线；所述第二导电线和所述第三导电线沿所述第一方向延伸，所述第四导电线沿所述第三方向延伸，所述第二相变存储单元沿所述第二方向延伸。 关注微信公众号马克数据网