一种掩模版图形优化方法、系统及电子设备

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（来自 马克数据网） 本发明提供一种掩模版图形优化方法、系统及电子设备，属于计算光刻领域，方法包括：获取掩模版主图形边缘向内或向外移动预设距离后的新轮廓图形；当所述移动为向内移动时，将新轮廓图形以内的区域设置为主图形阴影区域；当所述移动为向外移动时，将新轮廓图形以外的区域设置为主图形阴影区域；基于所述主图形阴影区域对逆光刻求解得到的掩模梯度场进行筛选，以仅保留该区域内的掩模梯度场；基于筛选后的掩模梯度场生成掩模版的亚分辨率辅助图形。本发明采用主图形阴影区域约束提取的方法，能够有效生成满足制造要求且对曝光有积极影响的亚分辨率辅助图形，且可以有效限定主图形逆光刻优化过程的移动步长，提高掩模版图形的优化效率和质量。