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基于自旋轨道耦合效应实现相干光的路由分发及装置

申请号: CN202311198328.4
申请人: 武汉量子技术研究院
申请日期: 2023/9/15

摘要文本

本发明公开了一种基于自旋轨道耦合效应实现相干光的路由分发及装置,其中方法包括以下步骤:S1、在清洗洁净的绝缘层基底上剥离具有高效非线性效应的多层3R堆垛的半导体材料;S2、在多层3R堆垛的半导体材料上旋涂含有纳米波导材料的溶液,并及时真空生长防止纳米波导氧化的保护层;S3、利用近红外圆偏振光在偏离纳米波导中心的一定位置激发半导体材料产生特定圆偏极化的二次谐波,二次谐波定向地与纳米波导中的等离激元耦合;S4、通过改变半导体材料的激发点位置或者近红外圆偏振光的圆偏振方向来调控二次谐波与导波耦合后的传播方向。因此本发明利用等离激元波导在纳米尺度下实现了对二次谐波光信号传输方向的操纵。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 基于自旋轨道耦合效应实现相干光的路由分发及装置
专利类型 发明申请
申请号 CN202311198328.4
申请日 2023/9/15
公告号 CN117424651A
公开日 2024/1/19
IPC主分类号 H04B10/70
权利人 武汉量子技术研究院
发明人 郭全兵; 张顺平; 徐红星
地址 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道818号高科医疗器械园B9栋6层1号厂房603室

专利主权项内容

1.一种基于等离激元的自旋轨道耦合实现相干光信号的路由分发方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、在清洗洁净的绝缘层基底上剥离具有高效非线性效应的多层3R堆垛的半导体材料;S2、在多层3R堆垛的半导体材料上旋涂含有纳米波导材料的溶液,并及时真空生长防止纳米波导氧化的保护层;S3、利用近红外圆偏振光在偏离纳米波导中心的一定位置激发半导体材料产生特定圆偏极化的二次谐波,二次谐波定向地与纳米波导中的等离激元耦合;S4、通过改变半导体材料的激发点位置或者近红外圆偏振光的圆偏振方向来调控二次谐波与导波耦合后的传播方向。