← 返回列表
一种具有高击穿强度的薄膜电容器及其制备方法和应用
摘要文本
本发明属于电路元件制备技术领域，具体涉及一种具有高击穿强度的薄膜电容器及其制备方法和应用。该薄膜电容器包括聚合物电介质和掺杂在聚合物电介质中的纳米片；所述纳米片在薄膜电容器中沿水平方向取向。本发明提供的薄膜电容器具有十分优异的击穿强度。本发明提供的掺杂有纳米片的聚合物薄膜电容器，纳米片在薄膜电容器中沿水平方向取向，垂直于施加外电场的方向，可以有效阻碍沿外电场方向的导电通道，从而提高薄膜电容器击穿强度。 微信公众号马克数据网
申请人信息
- 申请人:中国长江三峡集团有限公司
- 申请人地址:430010 湖北省武汉市江岸区六合路1号
- 发明人: 中国长江三峡集团有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种具有高击穿强度的薄膜电容器及其制备方法和应用 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311398415.4 |
| 申请日 | 2023/10/24 |
| 公告号 | CN117650013A |
| 公开日 | 2024/3/5 |
| IPC主分类号 | H01G4/33 |
| 权利人 | 中国长江三峡集团有限公司 |
| 发明人 | 李雨抒; 邓友汉; 陈圣哲; 余意; 宋子达; 陈静 |
| 地址 | 湖北省武汉市江岸区六合路1号 |
专利主权项内容
1.一种具有高击穿强度的薄膜电容器，其特征在于，包括聚合物电介质和掺杂在聚合物电介质中的纳米片；所述纳米片在薄膜电容器中沿水平方向取向。