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一种基于同位素混合模型校正的激光微区同位素分析和校正方法
摘要文本
本发明公开了一种基于同位素混合模型校正的激光微区同位素分析和校正方法，测试某一元素同位素信号时，利用人为选定或制造一个稳定同位素信号作为背景源，与待测样品的同位素源建立两端元混合模型，分别计算得到样品和背景的同位素比值，利用背景同位素比值校正仪器质量分馏，获得样品准确的同位素组成。 关注公众号马 克 数 据 网
申请人信息
- 申请人:中国地质大学(武汉)
- 申请人地址:430074 湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号
- 发明人: 中国地质大学(武汉)
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种基于同位素混合模型校正的激光微区同位素分析和校正方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311555858.X |
| 申请日 | 2023/11/17 |
| 公告号 | CN117538406A |
| 公开日 | 2024/2/9 |
| IPC主分类号 | G01N27/626 |
| 权利人 | 中国地质大学(武汉) |
| 发明人 | 胡远; 张文; 胡兆初; 廖秀红 |
| 地址 | 湖北省武汉市洪山区鲁磨路388号 |
专利主权项内容
1.一种基于同位素混合模型校正的激光微区同位素分析和校正方法，其特征在于，测试某一元素同位素信号时，利用人为选定或制造一个稳定同位素信号作为背景源，与待测样品的同位素源建立两端元混合模型，分别计算得到样品和背景的同位素比值，利用背景同位素比值校正仪器质量分馏，获得样品准确的同位素组成。