← 返回列表

一种层间电连激光加工方法、设备、装置及系统

申请号: CN202311814836.0
申请人: 武汉铱科赛科技有限公司
申请日期: 2023/12/27

摘要文本

本发明涉及一种层间电连激光加工方法、设备、装置及系统,其方法包括:利用第一激光束对上导电层进行激光加工, 以形成穿透上导电层的穿透窗口;使第二激光束穿越所述穿透窗口,并对穿透窗口的底部进行激光加工, 且在对穿透窗口的底部进行激光加工的过程中,与穿透窗口对应位置的下导电层被熔化并在第二激光束的作用下向上飞溅形成金属飞溅墙,金属飞溅墙穿越中间绝缘层,金属飞溅墙的墙根连接下导电层,金属飞溅墙的墙顶连接上导电层,上导电层和下导电层通过金属飞溅墙电连通。本发明利用下导电层材料制作金属飞溅墙,完成上导电层与下导电层的电连接,完全突破了现有线路板制作的思维和生产流程,具有成本低,效率高,流程短等绝对优势。

专利详细信息

项目 内容
专利名称 一种层间电连激光加工方法、设备、装置及系统
专利类型 发明申请
申请号 CN202311814836.0
申请日 2023/12/27
公告号 CN117464170A
公开日 2024/1/30
IPC主分类号 B23K26/00
权利人 武汉铱科赛科技有限公司
发明人 张立国
地址 湖北省武汉市东湖高新区黄龙山北路4号

专利主权项内容

1.一种层间电连激光加工方法,其特征在于, 利用第一激光束和第二激光束对电路板进行层间电连激光加工,所述电路板至少由上导电层、中间绝缘层和下导电层依次叠加构成;层间电连激光加工方法包括如下步骤 : 第一步,利用所述第一激光束对所述电路板的上导电层进行激光加工, 以形成穿透所述上导电层的穿透窗口;第二步,使所述第二激光束穿越所述穿透窗口,并对所述穿透窗口的底部进行激光加工, 且在对所述穿透窗口的底部进行激光加工的过程中,与所述穿透窗口对应位置的所述下导电层被熔化并在所述第二激光束的作用下向上飞溅形成金属飞溅墙,所述金属飞溅墙穿越所述中间绝缘层,所述金属飞溅墙的墙根连接所述下导电层,所述金属飞溅墙的墙顶连接所述上导电层,所述上导电层和所述下导电层通过所述金属飞溅墙电连通。