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双通带横向激励体声波谐振器及其制作方法、滤波器
摘要文本
本发明实施例提供的双通带横向激励体声波谐振器及其制作方法、滤波器，谐振器包括压电层、电极层和异质层；异质层的材质与压电层的材质不同；电极层和异质层位于压电层在厚度方向相背离的两侧；电极层包括叉指电极和块电极，叉指电极与压电层重叠的区域形成有源区；异质层与有源区在厚度方向上的投影全部交叠；本发明的技术方案，通过在压电层下增加了异质层，可以改变谐振器厚度方向的应力与电场分布，使谐振器的偶数阶模态机械‑电相互作用能不为0，解决了传统谐振器只能激发单一谐振模态的问题，可以同时激发A2和A3谐振模态，应用到滤波器中，有利于实现设备的小型化和高度集成化。 来自：马 克 团 队
申请人信息
- 申请人:武汉敏声新技术有限公司
- 申请人地址:430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城三期D7栋4层01号
- 发明人: 武汉敏声新技术有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 双通带横向激励体声波谐振器及其制作方法、滤波器 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311574676.7 |
| 申请日 | 2023/11/23 |
| 公告号 | CN117498827A |
| 公开日 | 2024/2/2 |
| IPC主分类号 | H03H9/17 |
| 权利人 | 武汉敏声新技术有限公司 |
| 发明人 | 温志伟; 刘文娟; 曾敏; 童欣; 杨思洁; 孙博文; 孙成亮 |
| 地址 | 湖北省武汉市东湖新技术开发区花城大道9号武汉软件新城三期D7栋4层01号 |
专利主权项内容
1.一种双通带横向激励体声波谐振器，其特征在于，包括压电层、电极层和异质层；所述异质层的材质与所述压电层的材质不同；所述电极层和所述异质层位于所述压电层在厚度方向相背离的两侧；所述电极层包括叉指电极和块电极，所述叉指电极与所述压电层重叠的区域形成有源区；所述异质层与所述有源区在所述厚度方向上的投影全部交叠。 （更多数据，详见马克数据网）