一种静态隐匿的DFF-PUF复合电路
摘要文本
本发明涉及一种静态隐匿的DFF‑PUF复合电路,包括输入端口D、第一锁存器Latch1、第二锁存器Latch2、使能开关SW和输出端口Q,本发明涉及的一种静态隐匿的DFF‑PUF复合电路,相较于采用传统PUF伪装和混淆技术在一定程度上隐瞒PUF电路的物理图像细节,DFF‑PUF复合电路可以完全消除伪装电路的物理层特征,使其在电路和版图上完全兼容数字逻辑电路,实现密钥单元的静态隐匿,从而确保了密钥信息的安全,相较于SRAM‑PUF基于非门之间阈值电压失配生成密钥,本发明使用对工艺误差更为敏感的亚阈值电流作为失配传输源,进而可以获得标准差更大的失配分布,同时还避免了其密钥不能随用随取的缺点,高度复用了DFF中本身的电路结构,以较低成本实现了PUF的功能,未引入过大的硬件开销。
申请人信息
- 申请人:湖北工业大学
- 申请人地址:430070 湖北省武汉市洪山区南李路28号
- 发明人: 湖北工业大学
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种静态隐匿的DFF-PUF复合电路 |
| 专利类型 | 发明授权 |
| 申请号 | CN202311796277.5 |
| 申请日 | 2023/12/25 |
| 公告号 | CN117454448B |
| 公开日 | 2024/3/19 |
| IPC主分类号 | G06F21/73 |
| 权利人 | 湖北工业大学 |
| 发明人 | 张寅; 罗祥萌; 高燕; 张健; 贺章擎; 万美琳 |
| 地址 | 湖北省武汉市洪山区南李路28号 |
专利主权项内容
1.一种静态隐匿的DFF-PUF复合电路,其特征在于,包括输入端口D、第一锁存器Latch1、第二锁存器Latch2、使能开关SW和输出端口Q,所述第一锁存器Latch1包括第一传送门TG1、第一反相器FXQ1和第一非门INV1,所述输入端口D与第一传送门TG1的输入端电性连接,所述第一传送门TG1的输出端分别与第一反相器FXQ1的输出端和第一非门INV1的输入端电性连接,所述第二锁存器Latch2包括第二传送门TG2、第二反相器FXQ2和第二非门INV2,所述第一反相器FXQ1的输入端和第一非门INV1的输出端均与第二传送门TG2的输入端电性连接,所述第二传送门TG2的输出端分别与第二反相器FXQ2的输出端和第二非门INV2的输入端电性连接,所述第二反相器FXQ2的输入端和第二非门INV2的输出端及使能开关SW的漏极均与输出端口Q电性连接;所述输入端口D用于输入信号,所述第一锁存器Latch1用于对输入的信号进行传输或存储,所述第二锁存器Latch2用于对第一锁存器Latch1输出的信号进行传输或存储,所述第一传送门TG1用于对输入的信号进行传输,所述第二传送门TG2用于对第一锁存器Latch1输出的信号进行传输,所述第一反相器FXQ1和第二反相器FXQ2均用于对输入的信号进行输出翻转或存储,所述第一非门INV1和第二非门INV2均用于对输入的信号进行翻转,所述使能开关SW用于控制第二传送门TG2、第二反相器FXQ2的通断以及第二非门INV2是否短接;第一控制时钟信号CLK分别连接在第一传送门TG1的第一输入控制信号端、第一反相器FXQ1的第一输入控制信号端、第二反相器FXQ2的第一输入控制信号端和第二反相器FXQ2的第二输入控制信号端,第二控制时钟信号CLKB分别连接在第一传送门TG1的第二输入控制信号端、第一反相器FXQ1的第二输入控制信号端、第二传送门TG2的第一输入控制信号端和第二传送门TG2的第二输入控制信号端,第一控制时钟信号CLK和第二控制时钟信号CLKB为反向信号,使能开关SW产生的使能开关信号EN分别连接在第二传送门TG2的第一输入控制信号端、第二传送门TG2的第二输入控制信号端、第二反相器FXQ2的第一输入控制信号端和第二反相器FXQ2的第二输入控制信号端;具体包括以下两种运行状态:DFF状态:当使能开关信号EN为低电平0时,此时复合电路工作处于触发器状态,当第一控制时钟信号CLK为低电平0时,第一传送门TG1导通,此时输入信号通过输入端口D和第一传送门TG1传输进第一反相器FXQ1中,并通过第一非门INV1进行翻转,当第二控制时钟信号CLKB为高电平1时,第二传送门TG2截止,使得第一非门INV1的输出信号存储在第一反相器FXQ1中而不会进入第二传送门TG2中,当第一控制时钟信号CLK为高电平1时,第一传送门TG1截止,此时输入信号不再进入第一传送门TG1中,使得第一非门INV1的输出信号保持之前状态不变,当第二控制时钟信号CLKB为低电平0时,第二传送门TG2导通,将之前锁存在第一非门INV1的输出信号传输进第二传送门TG2中,然后进入第二非门INV2并通过输出端向外输出,实现输出信号等于输入信号;PUF密钥生成状态:当使能开关信号EN为高电平1时,此时复合电路处于密钥生成的准备状态,第一传送门TG1、第一反相器FXQ1和第一非门INV1仍然根据第一控制时钟信号CLK对输入信号进行传输或存储,而第二非门INV2的输入端和输出端短接,且第二反相器FXQ2截止,此时令第二非门INV2的输入电压为V,第二非门INV2的输出电压为V,则第二反相器FXQ2的输出端与第二非门INV2的输入端连接处的电压与第二非门INV2输出的电压均维持在V,当使能开关信号EN和第一控制时钟信号CLK均为低电平0时,由于第二非门INV2的输出翻转阈值V等于V,第二传送门TG2、第二反相器FXQ2和第二非门INV2将整体维持在亚稳态,根据第二反相器FXQ2驱动强度不匹配引起电流失衡,使得电压V与V产生偏离电压ΔV,偏离电压ΔV进一步被第二非门INV2构成的灵敏放大器放大并锁存,实现数字密钥0或1的转换。MOUTMdecisionMMdecision。搜索马 克 数 据 网