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一种具有双轴拉伸应变的二维Bi2O2Se单晶及其制备方法
摘要文本
本发明涉及一种具有双轴拉伸应变的二维Bi2O2Se单晶及其制备方法，所述具有双轴拉伸应变的二维Bi2O2Se单晶具有正方形纳米片结构，正方形纳米片以平行方式排列生长，双轴拉伸应变为2.8～8％。本发明提供的二维Bi2O2Se单晶双轴拉伸应变高达2.8～8％，样品出现理论研究中预测的铁电性，在铁电存储材料方面有着广阔的应用前景。
申请人信息
- 申请人:武汉理工大学; 广东汇成真空科技股份有限公司
- 申请人地址:430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号
- 发明人: 武汉理工大学; 广东汇成真空科技股份有限公司
专利详细信息
| 项目 | 内容 |
|---|---|
| 专利名称 | 一种具有双轴拉伸应变的二维Bi2O2Se单晶及其制备方法 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 申请号 | CN202311765497.1 |
| 申请日 | 2023/12/20 |
| 公告号 | CN117737859A |
| 公开日 | 2024/3/22 |
| IPC主分类号 | C30B29/46 |
| 权利人 | 武汉理工大学; 广东汇成真空科技股份有限公司 |
| 发明人 | 章嵩; 李家平; 李宝文; 涂溶; 张联盟; 李志荣; 李迎春 |
| 地址 | 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号; 广东省东莞市大岭山镇颜屋龙园路2号 |
专利主权项内容
1.一种具有双轴拉伸应变的二维BiOSe单晶，其特征在于，所述二维BiOSe单晶具有正方形纳米片结构，正方形纳米片以平行方式排列生长，双轴拉伸应变为2.8～8％。2222。马 克 数 据 网